Транзисторы. Петров Б.К - 20 стр.

UptoLike

Составители: 

20
импульсов на входе ключа, контролируя форму сигнала осциллографом в точке
1.
5. Отключите запирающий сигнал. Снимите зависимость времен t
ф
, t
р
, t
с
от амплитуды входного отпирающего тока I
вх
. Величина I
вх
определяется по
формуле I
вх
=U
RБ
/R
Б
, где U
RБ
падение напряжения на сопротивлении R
Б
=500
Ом. Постройте графики полученных зависимостей .
6. Подключите генератор запирающего тока. Установите длительность
импульса t
зап
=0,5 мкс. Снимите зависимость времени рассасывания заряда t
р
и
времени спада t
с
от амплитуды запирающего тока.
7. Установите на генераторе амплитуду запирающего напряжения U
зап
=4
В . Снимите зависимости t
р
и t
с
от длительности запирающего импульса.
Постройте графики. Сделайте выводы по работе .
1.8. Контрольные вопросы
1. Объясните принцип работы биполярного транзистора.
2. Опишите режимы работы : активный, отсечки, насыщения.
3. Объясните механизм усиления по мощности усилителя на биполярном
транзисторе.
4. Приведите статические выходные характеристики в схеме с общим
эмиттером и опишите отдельные участки ВАХ .
5. Как нужно изменять электрофизические параметры биполярного
тразистора, чтобы улучшить его электрические характеристики h
21Б
, h
21Э
, ω
гр
?
6. Какие физические процессы вызывают спад с частотой
малосигнальных параметров h
21Б
(ω), h
21Э
(ω)?
7. От каких физических факторов зависят длительности переднего и
заднего фронтов импульсов коллекторного тока в транзисторном ключе?
Литература
1. Пасынков В . В . Полупроводниковые приборы : Учеб . для вузов/ В .В .
Пасынков, Л .К . Чиркин . 6-е изд ., стер. СПб .:Лань, 2002. 478 с.
2. Шур М . Физика полупроводниковых приборов: В 2 кн ./ Пер. с англ.
А .А . Кальфа и др./ М . Шур. М .:Мир, 1992, - Кн.1. 479 с.
3. Колесников В . Г . Кремниевые планарные транзисторы / В .Г.
Колесников, В .И . Никишин , В .Ф . Сыноров, Б.К . Петров, Г.В . Сонов, В .С.
Горохов. М .:Сов. радио, 1973. 336 с.
                                          20

им пульсовна вход еклю ча, контролируя ф орм усигнала осциллограф ом вточке
1.
       5. О тклю читезапираю щ ий сигнал. Сним итезависим остьврем ен tф , tр, tс
отам плитуд ы вход ного отпираю щ его тока Iвх. В еличина Iвх опред еляется по
ф орм уле Iвх=URБ /RБ , гд е URБ – пад ение напряж ения на сопротивлении RБ =500
О м . Постройтеграф ики полученны х зависим остей.
       6. Под клю чите генератор запираю щ его тока. У становите д лительность
им пульса tзап=0,5 м кс. Сним ите зависим ость врем ени рассасы вания заряд а tр и
врем ени спад а tс отам плитуд ы запираю щ его тока.
       7. У становите на генераторе ам плитуд у запираю щ его напряж ения Uзап=4
В . Сним ите зависим ости tр и tс от д лительности запираю щ его им пульса.
Постройтеграф ики. Сд елайтевы вод ы по работе.


      1.8. Контр оль ны е вопр осы

      1. О бъ яснитепринцип работы биполярного транзистора.
      2. О пиш итереж им ы работы : активны й, отсечки, насы щ ения.
      3. О бъ яснитем еханизм усиления по м ощ ности усилителя на биполярном
транзисторе.
      4. Привед ите статические вы ход ны е характеристики в схем е с общ им
эм иттером и опиш итеотд ельны еучастки В А Х .
      5. К ак нуж но изм енять электроф изические парам етры биполярного
тразистора, чтобы улучш итьего электрическиехарактеристики h21Б , h21Э , ωгр ?
      6. К акие ф изические процессы            вы зы ваю т спад с частотой
м алосигнальны х парам етровh21Б (ω), h21Э (ω)?
      7. О т каких ф изических ф акторов зависят д лительности перед него и
зад него ф ронтовим пульсовколлекторного тока втранзисторном клю че?


     Литер атур а

       1. Пасы нков В .В . Полупровод никовы е приборы : У чеб. д ля вузов/ В .В .
Пасы нков, Л .К . Ч иркин. – 6-еизд ., стер. – СПб.:Л ань, 2002. – 478 с.
       2. Ш ур М . Ф изика полупровод никовы х приборов: В 2 кн./ Пер. с англ.
А .А . К альф а и д р./ М . Ш ур. – М .:М ир, 1992, - К н.1. – 479 с.
       3. К олесников В .Г. К рем ниевы е планарны е транзисторы / В .Г.
К олесников, В .И . Н икиш ин, В .Ф . Сы норов, Б.К . Петров, Г.В . Сонов, В .С.
Горохов. – М .:Сов. рад ио, 1973. – 336 с.