Транзисторы. Петров Б.К - 33 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

33
SiO
2
под затвором , термически выращенной на поверхности кремниевой
подложки, всегда содержится положительный ионный заряд , состоящий из
ионов натрия Na
+
, ионов водорода H
+
и других , с плотностью
Q
SiO2
=q*(3÷10)*10
11
К /см
2
в зависимости от особенностей применяемых
технологических процессов. В подложке n-типа на границе раздела Si-SiO
2
под
влиянием поля этого ионного заряда наводится отрицательный заряд
подвижных электронов Q. Кроме того, работа выхода из металла (Al) ϕ
м
меньше работы выхода из кремния ϕ
Si
. В подложке у поверхности образуется
Рис. 1. Структуры полевых транзисторов:
а) полевой транзистор с управляющим p-n-переходом ;
б ) МДП-транзистор с индуцированным каналом ;
в) МДП-транзистор со встроенным каналом .
исток
исток
исток
сток
сток
сток
затвор
затвор
затвор
а)
n-Si
канал
p-n-
переход
p-Si
+
SiO
2
SiO
2
pp
индуцированный канал
подложка
подложка
n-Si
б)
n
n
p-Si
в)
                                                 33

SiO2 под затвором , терм ически вы ращ енной на поверхности крем ниевой
под лож ки, всегд а сод ерж ится полож ительны й ионны й заряд , состоящ ий из
ионов натрия Na+, ионов вод ород а H+ и д ругих, с плотностью
QSiO2=q*(3÷10)*1011 К /см 2 в зависим ости от особенностей прим еняем ы х
технологических процессов. В под лож кеn-типа на границеразд ела Si-SiO2 под
               исток                                         сток


                n-Si
                                        канал
                                                                    p-n-
                                                                    переход
                      p+-Si

                                        затвор
                                       затвор          а)
                              исток                   сток

                                                                    SiO2
                               p                        p
               n-Si                инд уцированны й канал

                                       под лож ка
                                                       б)
                                       затвор
                          исток                       сток

                                                                    SiO2
                               n                       n
                 p-Si


                                      под лож ка
                                                      в)
           Рис. 1. Структуры полевы х транзисторов:
           а) полевой транзистор суправляю щ им p-n-переход ом ;
           б) М Д П-транзистор синд уцированны м каналом ;
           в) М Д П-транзистор со встроенны м каналом .

влиянием поля этого ионного заряд а навод ится отрицательны й заряд
под виж ны х электронов Q. К ром е того, работа вы ход а из м еталла (Al) ϕм
м еньш е работы вы ход а из крем ния ϕSi. В под лож ке у поверхности образуется

Страницы