Транзисторы. Петров Б.К - 34 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

34
слой накопления электронов, концентрация которых n(y) выше, чем в объеме
подложки:
kT
yEE
nyn
CC
)(
exp)(
0
0
−
= ,
где E
C0
– энергия дна зоны проводимости в объеме полупроводника
( х →∞); E
C
(y) – положение дна зоны проводимости в приповерхностной
области .
Поскольку n(y)>n
0
, то E
C0
>E
C
(y) и энергетические зоны в слое накопления
изогнуты вниз (рис. 3а). Объем подложки n-типа остается квазинейтральным и
поле в нем отсутствует.
При подаче отрицательного напряжения на затвор (U
зи
<0) относительно
истока на металле затвора накапливается отрицательный электронный заряд :
сток
сток
исток
исток
затвор
затвор
а)
б)
сток
сток
исток
исток
затвор
затвор
в)
г)
сток
сток
исток
исток
затвор
затвор
д)
е)
Рис. 2. Условные обозначения полевых транзисторов:
а) и б) транзисторы с управляющим p-n переходом и
каналами p- и n- типа;
в) и г) МДП-транзисторы со встроенными каналами
p- и n- типа;
д ) и е) МДП-транзисторы со индуцированными
каналами p- и n- типа.
                                                  34

слой накопления электронов, концентрация которы х n(y) вы ш е, чем в объ ем е
под лож ки:

                        E C 0 − EC ( y )
      n( y ) = n0 exp                    ,
                              kT
     гд е EC0 – энергия д на зоны провод им ости в объ ем е полупровод ника
(х→∞); EC(y) – полож ение д на зоны провод им ости в приповерхностной
области.
                             сток                 сток               сток



           затвор                 затвор               затвор
                            исток                 исток              исток
                    а)                       в)                 д)


                             сток                 сток               сток



           затвор                 затвор               затвор
                            исток                 исток              исток
                    б)                       г)                 е)



              Рис. 2. Условны еобозначения полевы х транзисторов:
              а) и б) транзисторы суправляю щ им p-n переход ом и
                         каналам и p- и n- типа;
              в) и г) М Д П-транзисторы со встроенны м и каналам и
                         p- и n- типа;
              д ) и е) М Д П-транзисторы со инд уцированны м и
                         каналам и p- и n- типа.

     Посколькуn(y)>n0, то EC0>EC(y) и энергетическиезоны вслоенакопления
изогнуты вниз (рис. 3а). О бъ ем под лож ки n-типа остается квазинейтральны м и
полевнем отсутствует.
     При под аче отрицательного напряж ения на затвор (Uзи<0) относительно
истока на м еталлезатвора накапливается отрицательны й электронны й заряд :

Страницы