ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
46
канала
U зи
ст
си
i
I
U
r
∆
∆
= на крутом и пологом участках ВАХ при U
зи
=-4,5 В
для КП304 и 1 В для КП305.
3.5. Контрольные вопросы
1. Объясните процессы образования проводящего канала в МДП-
транзисторе с индуцированным каналом .
2. Каковы различия в структурах МДП-транзисторов с индуцированным
и встроенным каналами и как это отражается на значениях их выходных
параметров?
3. Приведите статические характеристики МДП-транзистора со
встроенным каналом и опишите отдельные участки ВАХ .
4. Объясните участки ВАХ МДП-транзистора с индуцированным
каналом .
5. По результатам измерений приведите значения основных статических
параметров полевого транзистора.
6. Сравните электрические параметры полевых и биполярных
транзисторов. В чем преимущества и недостатки каждого из них ?
7. Как нужно изменять размеры МДП-транзистора, чтобы улучшить его
усилительные свойства?
Литература
1. Пасынков В . В . Полупроводниковые приборы : Учеб . для вузов/ В .В .
Пасынков, Л .К . Чиркин . – 6-е изд ., стер. – СПб .:Лань, 2002. – 478 с.
2. Шур М . Физика полупроводниковых приборов: В 2 кн ./ Пер. с англ.
А .А . Кальфа и др./ М . Шур. – М .:Мир, 1992, - Кн.1. – 479 с.
3. Зи С. Физика полупроводниковых приборов С. Зи: В 2 кн ./ Пер. с англ. -
М .: Мир, 1984. – Кн. 2.-456 с.
4. Степаненко И . П. Основы микроэлектроники: Учеб . пособие для вузов/
И .П. Степаненко. - 2-е изд . перераб. и доп. – М .: Лаб. Базовых знаний , 2001. –
488 с.
46
∆U си
канала ri = на крутом и пологом участках В А Х при Uзи=-4,5 В
∆I ст Uзи
д ля К П304 и 1 В д ля К П305.
3.5. Контр оль ны е вопр осы
1. О бъ ясните процессы образования провод ящ его канала в М Д П-
транзисторесинд уцированны м каналом .
2. К аковы различия вструктурах М Д П-транзисторов синд уцированны м
и встроенны м каналам и и как это отраж ается на значениях их вы ход ны х
парам етров?
3. Привед ите статические характеристики М Д П-транзистора со
встроенны м каналом и опиш итеотд ельны еучастки В А Х .
4. О бъ ясните участки В А Х М Д П-транзистора с инд уцированны м
каналом .
5. По результатам изм ерений привед итезначения основны х статических
парам етровполевого транзистора.
6. Сравните электрические парам етры полевы х и биполярны х
транзисторов. В чем преим ущ ества и нед остатки каж д ого из них?
7. К ак нуж но изм енять разм еры М Д П-транзистора, чтобы улучш ить его
усилительны есвойства?
Литер атур а
1. Пасы нковВ .В . Полупровод никовы еприборы : У чеб. д ля вузов/ В .В .
Пасы нков, Л .К . Ч иркин. – 6-еизд ., стер. – СПб.:Л ань, 2002. – 478 с.
2. Ш ур М . Ф изика полупровод никовы х приборов: В 2 кн./ Пер. сангл.
А .А . К альф а и д р./ М . Ш ур. – М .:М ир, 1992, - К н.1. – 479 с.
3. Зи С. Ф изика полупровод никовы х приборовС. Зи: В 2 кн./ Пер. сангл. -
М .: М ир, 1984. – К н. 2.-456 с.
4. Степаненко И .П. О сновы м икроэлектроники: У чеб. пособиед ля вузов/
И .П. Степаненко. - 2-е изд . перераб. и д оп. – М .: Л аб. Базовы х знаний, 2001. –
488 с.
