ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
19
t
t
t
б
I
к
I
кэ
U
з
t
ф1
t
ф2
t
расс
t
1
t
2
t
3
t
Рис. 1.13. Процесс включения и выключения биполярного транзистора
На интервале
)0(
1
t
K
эмиттерный переход смещён в прямом на-
правлении и по нему протекает базовый ток
б
I
(рис. 1.13, а). При этом
ток в коллекторной цепи начнёт протекать с задержкой на время
з
t , ко-
торое требуется инжектируемым в базу носителям для прохождения
расстояния, равного ширине базовой области. Затем коллекторный ток
нарастает постепенно в течение времени фронта
1ф
t , что связано с про-
цессом накопления носителей в базе. После окончания входного им-
пульса в точке
1
t
входной сигнал меняет полярность, эмиттерный пере-
ход смещается в обратном направлении и инжекция носителей в базу
прекращается. Но поскольку в базе был накоплен некоторый заряд но-
сителей, то ток коллектора ещё в течение времени рассасывания
расс
t
будет поддерживаться, а затем снижаться до нуля в течение времени
фронта
ф2
t . Время рассасывания сильно зависит от степени насыщения
транзистора перед его выключением. Минимальное время рассасыва-
ния, а следовательно, и время выключения получается при граничном
режиме насыщения. Для ускорения процесса рассасывания к эмиттер-
ному переходу прикладывают обратное запирающее напряжение, кото-
рое во избежание пробоя перехода не превышает величины нескольких
вольт.
Динамические потери транзистора (потери на переключение) (как
видно из рис. 1.13, б, в) определяются, в основном, длительностью
фронтов нарастания
1ф
t и спада
2ф
t тока коллектора, когда и напряже-
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 17
- 18
- 19
- 20
- 21
- …
- следующая ›
- последняя »
