ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
21
p
2
SiO
И
С
З
П
+
n
+
n
З
С
И
З
С
И
Рис. 1.15. Полевой транзистор с изолированным затвором: структура
с индуцированным каналом n-типа (а); условные графические обозначения
транзистора с каналом n-типа (б) и p-типа (в)
В монокристалле полупроводника какого-либо типа проводимо-
сти, например р-типа (рис. 1.15, а), созданы две области противополож-
ного типа проводимости, от которых сделаны электрические выводы,
называемые истоком (И) и стоком (С).
От подложки исходного полупроводника также сделан электриче-
ский вывод, который часто электрически соединяют с истоком. Между
истоком и стоком на слой окисла полупроводника (
2
SiO ), который яв-
ляется прекрасным изолятором, напыляется слой металла – затвор. В
исходном состоянии между истоком и стоком электрическая цепь от-
сутствует, так как эти области отделяются друг от друга слоем полупро-
водника противоположного типа проводимости.
Если теперь между истоком и затвором подать управляющее на-
пряжение (+) на затвор, (–) на исток, то между затвором и исходным по-
лупроводником возникает электрическое поле, которое будет выталки-
вать дырки из приповерхностной области, а притягивать туда электро-
ны. В результате, когда в приповерхностной области концентрация
электронов превысит концентрацию дырок, произойдёт инверсия про-
водимости и там возникнет канал n-типа проводимости, соединяющий
области истока и стока. Чем больше напряжение между затвором и ис-
током, тем больше концентрация носителей в канале и больше его про-
водимость. Таким образом, отпирание транзистора и поддержание его в
открытом состоянии осуществляется электрическим полем, что отраже-
но в его названии.
В данном случае мы рассмотрели полевой транзистор с каналом
n-типа проводимости. Аналогичные процессы протекают в транзисторе
с каналом проводимости р-типа, но в графическом обозначении такого
транзистора стрелка направлена в противоположную сторону
(рис. 1.15, в).
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- …
- следующая ›
- последняя »
