Материаловедение и материалы электронной техники. Плотянская М.А - 63 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СПб ГУАП | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

63
ции атомов примеси в полупроводнике уменьшается наклон кривой
к оси абсцисс, и она располагается выше. Это объясняется тем, что
наклон прямой в области примесной проводимости определяется энер$
гией ионизации примеси. С увеличением концентрации примеси энер$
гия ионизации уменьшается и, соответственно, уменьшается наклон
прямых.
При дальнейшем повышении температуры наступает истощение
примеси – полная ее ионизация. Собственная же электропроводность
заметно еще не проявляется. В этих условиях концентрация свобод$
ных носителей от температуры не зависит, и температурная зависи$
мость удельной проводимости полупроводника определяется зави$
симостью подвижности носителей заряда от температуры. Резкое
увеличение удельной проводимости при дальнейшем росте темпера$
туры соответствует области собственной электропроводности.
В сильных электрических полях нарушается линейность закона
Ома j = sЕ. Минимальную напряженность электрического поля, на$
чиная с которой не выполняется линейная зависимость тока от на$
пряжения, называют критической. Эта граница не является резкой
и определенной, и зависит от природы полупроводника, концентра$
ции примесей, температуры окружающей среды. Так как удельная
проводимость определяется концентрацией свободных носителей за$
ряда и их подвижностью, то линейность закона Ома нарушается в
том случае, когда по крайней мере одно из этих значений зависит от
напряженности электрического поля.
Если изменение абсолютного значения скорости свободного носи$
теля заряда под действием внешнего поля на среднем пути между
соударениями сравнимо с тепловой скоростью, то подвижность носи$
телей заряда зависит от электрического поля, причем она может уве$
личиваться или уменьшаться в зависимости от температуры окру$
жающей среды. Воздействие
сильного электрического поля
приводит к значительному росту
концентрации свободных носи$
телей заряда.
Под воздействием внешнего
электрического поля напряжен$
ностью Е на полупроводник его
энергетические зоны становятся
наклонными. На рис. 29 показа$
ны энергетические зоны полупро$
водника в сильном электричес$
ком поле.
Рис. 29
W
c
W
v
1
2
W
E
x

Страницы