Материаловедение и материалы электронной техники. Плотянская М.А - 64 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СПб ГУАП | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

64
В сильном электрическом поле при наклоне зон возможен переход
электрона из валентной зоны и примесных уровней в зону проводи$
мости без изменения энергии в процессе туннельного «просачивания»
электронов через запрещенную зону. Этот механизм увеличения кон$
центрации свободных носителей под действием сильного электричес$
кого поля называют электростатической ионизацией, которая воз$
можна в электрических полях с напряженностью примерно 10
8
В/м.
На рис. 30 приведена зависи$
мость проводимости полупровод$
ника от напряженности внешне$
го электрического поля.
На рис. 30 участок 1 соответ$
ствует выполнению линейности
закона Ома; 2 – термоэлектрон$
ной ионизации; 3 – электроста$
тической и ударной ионизации;
4 – пробою.
Проводимость твердого кри$
сталлического тела изменяется
от деформации из$за увеличения
или уменьшения (растяжение,
сжатие) междуатомных расстояний и приводит к изменению концен$
трации и подвижности носителей заряда. Концентрация меняется
вследствие изменения ширины энергетических зон полупроводника
и смещения примесных уровней, что приводит к изменению энергии
активации носителей заряда и, следовательно, к уменьшению или
увеличению концентрации. Подвижность меняется из$за увеличения
или уменьшения амплитуды колебания атомов при их сближении
или удалении.
Изменение удельной проводимости полупроводников при опреде$
ленном виде деформации характеризует тензочувствителъность
12
2
3
1
,d
l
l
которая представляет собой отношение относительного изменения
удельного сопротивления к относительной деформации в данном на$
правлении.
Фотопроводимость полупроводников. Перевод электрона в сво$
бодное состояние или образование дырки может осуществляться так$
Рис. 30
lgs
1
2
3
4
10
4
...10
6
10
7
10
8
E,
В/м

Страницы