Составители:
73
электронов) в результате ударной ионизации, когда энергия свобод$
ных зарядов достаточна для ионизации атомов при соударении.
Для твердых диэлектриков характерной является ионная элект$
ропроводность. При нагревании или освещении, действии радиации,
сильного электрического поля сначала ионизируются содержащиеся
в таких диэлектриках дефекты и примеси. Образовавшиеся таким
образом ионы определяют низкотемпературную примесную область
электропроводности диэлектрика.
При более интенсивном воздействии на диэлектрик ионизируют$
ся основные частицы материала. Удельная проводимость в этом слу$
чае изменяется с ростом температуры с большей скоростью, так как
число ионов, образовавшихся при ионизации основных частиц, боль$
ше, чем при ионизации дефектов и примесей. Энергия активации ос$
новных частиц больше, эта область электропроводности называется
высокотемпературной собственной.
Поверхностная электропроводность диэлектриков определяет$
ся способностью поверхности материала адсорбировать загрязня$
ющие компоненты, в частности влагу, содержащуюся в окружаю$
щей атмосфере. Хорошо увлажняются полярные диэлектрики, их
называют гидрофильными в отличие от гидрофобных, которые не
смачиваются водой. Гидрофобными являются неполярные диэлек$
трики. Тонкий слой влаги на поверхности снижает поверхностное
сопротивление.
Диэлектрическая проницаемость и поляризованность. На рис. 35
изображены два плоских конденсатора, площадь электродов кото$
рых S, а расстояние между ними h. В конденсаторе (рис. 35, а) между
электродами вакуум, в конденсаторе (рис. 35, б) – диэлектрик. Если
электрическое напряжение на электродах U , то напряженность элект$
рического поля E = U / h. Электрический заряд, накопленный в конден$
саторе с вакуумом, называется свободным зарядом Q
0
(на рис. 35, а –
квадраты).
В электрическом поле в частицах, из которых построен диэлект$
рик, связанные положительные и отрицательные заряды смещают$
ся. В результате образуются электрические диполи с электрическим
моментом: m = ql, где q – суммарный положительный (и численно
равный ему отрицательный) заряд частицы, Кл; l – расстояние меж$
ду центрами зарядов, плечо диполя, м.
Для компенсации поляризационных зарядов источником элект$
рического напряжения создается дополнительный связанный заряд Q
д
.
Суммарный полный заряд в конденсаторе с диэлектриком: Q = Q
0
+
+ Q
д
= e
r
Q
0
, где e
r
– относительная диэлектрическая проницаемость.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 71
- 72
- 73
- 74
- 75
- …
- следующая ›
- последняя »
