Составители:
71
Арсенид галлия среди соединений занимает особое положение.
Большая ширина запрещенной зоны (1,4 эВ), высокая подвижность
электронов (0,85 м
2
/В·с) позволяют создавать на его основе прибо$
ры, работающие при высоких температурах и высоких частотах.
Первым полупроводником являлся GaAs, на котором в 1962 г.
был создан инжекционный лазер. Он используется для изготовле$
ния светодиодов, туннельных диодов, диодов Ганна, транзисторов,
солнечных батарей и других приборов. Для изготовления детекторов
в инфракрасной области спектра, датчиков Холла, термоэлектричес$
ких генераторов, тензометров применяется антимонид индия InSb,
имеющий очень малую ширину запрещенной зоны (0,17 эВ) и очень
высокую подвижность электронов (7,7 м
2
/В·с).
Широкое применение в серийном производстве светодиодов нашел
фосфид галлия GaP, имеющий большую ширину запрещенной зоны
(2,25 эВ). В отличие от других соединений группы чрезвычайно вы$
сокой чувствительностью к механическим напряжениям обладает
антимонид галлия GaSb. Удельное сопротивление GaSb увеличива$
ется в 2 раза при воздействии давления 4·10
8
Па. При таком же дав$
лении, приложенном к кристаллам GaAs и IпР, их удельное сопро$
тивление меняется лишь на 3 %. Благодаря высокой чувствительно$
сти к деформациям антимонид галлия используют при изготовлении
тензометров.
К полупроводниковым соединениям A
II
B
VI
относят халькогениды
цинка, кадмия и ртути. Среди них можно выделить сульфиды, селе$
ниды и теллуриды.
Технология выращивания монокристаллов соединений A
II
B
VI
раз$
работана гораздо менее полно, чем технология полупроводников типа
A
III
B
V
. Широкозонные полупроводники A
II
B
VI
представляют собой в
технологическом отношении трудные объекты, так как обладают
высокими температурами плавления и высокими давлениями диссо$
циации в точке плавления. Выращивание таких материалов в боль$
шинстве случаев осуществляется перекристаллизацией предваритель$
но синтезированного соединения через паровую фазу в запаянных
кварцевых ампулах.
Применяют соединения A
II
B
VI
в большинстве случаев для созда$
ния промышленных люминофоров, фоторезисторов, высокочувстви$
тельных датчиков Холла и приемников далекого инфракрасного из$
лучения.
Среди полупроводниковых соединений типа A
II
B
VI
наиболее изу$
ченными являются халькогениды свинца: PbS, PbSe, PbTe, сульфид,
селенид и теллурид свинца. Эти соединения являются узкозонными
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 69
- 70
- 71
- 72
- 73
- …
- следующая ›
- последняя »
