Составители:
70
удельное сопротивление примерно 10
3
Ом·м (при комнатной темпе$
ратуре). Селен в отличие от других полупроводников обладает ано$
мальной температурной зависимостью концентрации свободных но$
сителей заряда: она уменьшается с ростом температуры, подвижность
носителей заряда при этом возрастает. Электрические свойства селе$
на измерялись многими исследователями, однако данные весьма про$
тиворечивы.
Карбид кремния является единственным бинарным соединением,
образованным полупроводниковыми элементами IV группы табли$
цы Менделеева. Это полупроводниковый материал с большой шири$
ной запрещенной зоны (2,8...3,1 эВ) (в зависимости от модифика$
ций). Карбид кремния применяют для изготовления полупроводни$
ковых приборов, работающих при высоких температурах (до 700 °С).
Кристаллы карбида кремния полупроводниковой чистоты полу$
чают методом возгонки в печах с графитовыми нагревателями и эк$
ранами. Процесс кристаллизации проводят в атмосфере аргона при
температуре 2400... 2600 °С. Получаемые кристаллы обычно имеют
пластинчатую форму с размером в поперечнике примерно 1 см. Кар$
бид кремния является одним из наиболее твердых веществ, он устой$
чив к окислению до температур свыше 1400 °С.
Электропроводность кристаллов SiC при нормальной температу$
ре – примесная. Тип электропроводности и окраска кристаллов кар$
бида кремния зависят от инородных примесей или определяются из$
бытком атомов Si или С по сравнению со стехиометрическим соста$
вом. Избыток Si приводит к электронной электропроводности SiC, а
избыток С – к дырочной.
Карбид кремния применяется для серийного выпуска варисторов
(нелинейных резисторов), светодиодов, а также высокотемператур$
ных диодов, транзисторов, тензорезисторов, счетчиков частиц высо$
кой энергии, способных работать в химически агрессивных средах.
Полупроводниковые соединения А
III
В
V
– ближайшие аналоги
кремния и германия. Практическое значение имеют нитриды, фос$
фиды, арсениды и антимониды. Получают эти соединения или из рас$
плава, который содержит элементы в равных атомных концентраци$
ях, или из раствора соединения, имеющего в избытке элементы III
группы, а также из газовой фазы. Кристаллы антимонидов, арсени$
дов галлия и индия обычно выращивают из расплава вытягиванием
на затравку из$под инертного флюса. Монокристаллы, полученные
из расплава, обладают недостаточно высокой химической чистотой.
Для очистки используются те же методы, что и для очистки герма$
ния и кремния.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 68
- 69
- 70
- 71
- 72
- …
- следующая ›
- последняя »
