Составители:
9
отрицательно заряженных ионов кислорода и положительно заря$
женных ионов железа. Величина энергии связи кристаллов с ион$
ным типом связи близка к ковалентным кристаллам и превышает
металлические, тем более молекулярные. Имеют высокую темпера$
туру плавления и испарения, высокий модуль упругости и низкий
коэффициент линейного расширения.
1.3. Дефекты кристаллов
Строение реальных кристаллов отличается от идеальных, в ре$
альных кристаллах всегда содержатся дефекты, которые подразде$
ляются на точечные, линейные, поверхностные и объемные.
Размеры точечного дефекта близки к межатомному расстоянию,
самые простые – вакансии – пустой узел кристаллической решетки и
наличие межузельного атома, появляются из$за тепловых колеба$
ний атомов. Каждой температуре соответствует равновесная концен$
трация вакансий и межузельных атомов, пересыщение точечными
дефектами достигается при резком охлаждении после высокотемпе$
ратурного нагрева при пластическом деформировании и при облуче$
нии нейтронами. Ускоряют все процессы, связанные с перемещением
атомов – диффузия, спекание порошков и т.д., повышают электро$
сопротивление, но почти не влияют на механические свойства чис$
тых металлов. На рис. 5 показаны разновидности точечных дефек$
тов в кристаллической решетке, где а – вакансии; б – межузельный
атом; в – примесный атом внедрения.
Рис. 5
Линейные дефекты характеризуются малыми размерами в двух
измерениях, но имеют значительную протяженность в третьем изме$
рении. Важнейший вид линейных дефектов – дислокации. Вокруг
дислокаций решетка упруго искажена. Плотность дислокаций – сум$
марная длина всех линий дислокаций в единице объема. Дислока$
ции значительно влияют на свойства материалов, участвуют в фазо$
вых превращениях, рекристаллизации, служат готовыми центрами
при выпадении второй фазы из твердого раствора, влияют на проч$
б)
a)
в)
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- …
- следующая ›
- последняя »
