Составители:
Развитие полупроводниковых спектрометров привело к про-
грессу не только в ядерной физике, но и в смежных об л а с тях: фи-
зике твердого тела, радиотехнике, технологии изготовления полу-
проводников. Детекторы широко применяются при изучении кос-
мического пространства, в биофизике и геофизике, в медицине.
§ 1. Свойства полупроводниковых детекторов
Носители заряда (электроны и дырки), образующиеся в ре-
зультате взаимодействия излучения с веществ ом полупроводни-
кового детектора, собираются на его электродах электрическим
полем. Процесс обра зования и собирания зарядов зависит от рас-
пределения электронных энергетических уровней в кристалле. На
рис. 15 показано расположение зон электронных уровней в полу-
проводнике и изоляторе (а) и в металле (б). В полупроводниках и
изоляторах существует полностью заполненна я зона с энергети-
ческой щелью над ней, и для перевода электронов из заполненной
зоны в зону проводимости необходимо затратить определенную
энергию. Если энергетическая щель ∆E велика, то приложение
Рис. 15. Энергетические зоны в
полупроводнике и изоляторе (а)и
в металле (б)
небольшо го поля не вызов ет по-
явления тока. Такие вещества
называются изоляторами. Ес-
ли же щель мала, то некоторые
электроны в результате тепло-
вых флуктуации переходят в зо-
ну проводимости, что вызывает
появление тока. Такие вещества
имеют небольшую, но замет-
ную проводимость и называют-
ся полупроводниками. Энерге-
тическое расстояние между за-
полненной зоной и зо ной про-
водимости называется энергети-
ческой щелью. В полупроводни-
ках энергетическая щель не пре-
вышает 2 эВ.
Число электронов n, переве-
денных в зону проводимости в
результате тепловых флуктуа-
54
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 52
- 53
- 54
- 55
- 56
- …
- следующая ›
- последняя »
