Составители:
смешивать со случаем, когда в материале нет примесных атомов
и его пров одимость является только собственной (возникает за
счет носите лей, созданных тепловым возбуждением).
Если к кристаллу приложено электрическое поле, то скорость
носителей v пропорциональна напряженности E этого поля:
v = µE .
Величина µ называется подвижностью носителей и не зависит
от напряженности поля в широком диапазоне скоростей, вплот ь
до 10
6
см/с. При очень больших величинах напряженности поля
подвижность электронов и дырок, вообще говоря, различна. Дл я
обоих типов но сителей о на зависит от температуры как T
3/2
.
На движение электронов и дырок через кристалл большое
влияние оказывают примеси. При этом главное значение имеют
два эффекта: захват и рекомбинация (рис. 17). Атомы примесей
могут захватить носитель и через некоторое время вернуть его об-
ратно в зону. Время за хвата зависит от энергии ионизации уровня
и от температуры. Это в ремя может быть достаточно большим и
носитель не будет зарегистрирован детектором во время основно-
го импульса. При рекомбинации одновременно исчезают и элек-
тронные и дырочные носители. Это может про изойти прямым
путем и путем захва та носителей на промежуточные примесные
уровни. Вероятность второго п роцесса значительно больше.
Из-за эффектов рекомбинации и захвата время жизни носите-
лей в кристалле τ ограничено. В хороших детекторах τ ∼ 10
−5
с.
Рис. 16. Расположение энерге-
тических уровней примесей в
полупроводнике
Рис. 17. Схематическое изобра-
жение эфф ектов захвата и ре-
комбинации
56
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 54
- 55
- 56
- 57
- 58
- …
- следующая ›
- последняя »
