Практикум по ядерной физике. В.О. Сергеева - 57 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СПбГУ | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

Таблица 6. Характеристики кремния и германия
Характеристика
Si Ge
Атомный номер . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 32
Атомная масса . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
28,06 72,6
Плотность при 300 K, г/см
3
. . . . . . . . . . . . . . . . . 2,33 5,33
Диэлектрическая постоянная . . . . . . . . . . . . . . .
12 16
Ширина щели при 300 K, эВ . . . . . . . . . . . . . . . .
1,106 0,67
Энергия ионизации, эВ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3,66 2,96
Подвижность электронов, см
2
/В·с
при 300 K . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1350 3900
при 77 K . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4·10
4
3,6·10
4
Подвижность дырок, см
2
/В·с
при 300 K . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 480 1900
при 77 K . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1,8·10
4
4,2·10
4
Собственное удельное сопротивление, Ом·см
при 300 K . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3·10
5
50
при 77 K . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
— 5·10
4
В табл. 6 приведены физические характеристики кремния и
германия, существенные для применения этих материалов в ка-
честве основы полупроводниковых детекторов.
Важной характеристикой образца Si или Ge является его чи-
стота. В настоящее время могут быть получены сверхчистые кри-
сталлы Si и Ge.
§ 2. Принцип действия полупроводниковых
детекторов. Типы детекторов
Действие полупроводниковых детекторов аналогично дей-
ствию ионизационных камер. Ионизирующая частица, попавшая
детектор, производит пары электрон-дырка, которые собирают-
ся электрическим полем, приложенным к электродам детектора.
Величина соответств ующего электрического импульса пропорци-
ональна энергии, потерянной частицей или γ-квантом в де тек-
торе. Важно, чтобы детектор собрал все образова вшиеся в нем
заряды. Процесс с бора заряда в полупроводниковом детекторе
сложнее, чем в ионизацио нной камере.
01/09 57

Страницы