Составители:
На рис. 42 приведена кривая, связывающая пробег бета-
частиц с их максимальной энергией.
Непрерывное энергетическое распределение бета-частиц, ис-
пускаемых радиоактивными веществами, и рассеяние электронов
при прохождении через вещество приводит к тому, что ослабле-
ние пучка бета-частиц, идущих от источника к дет е ктору, носит
характер, близкий к экспоненциальному закону
N ≈ N
0
e
−µd
, (5.10)
где d — толщ ина фильтра; µ — коэффициент ослабления.
Экспоненциальный закон хорошо совпадае т с эксперименталь-
ной кривой в области средних значений толщины поглотителя.
В об ласти малых и больших значений наблюдается за метное от-
ступление от экспоненциального закона (см. рис. 31 б). При изме-
рениях удобно пользоваться толщиной слоя полов инного погло-
щения d
1/2
, необходимого для уменьшения вдвое начальной ин-
тенсивности бета-излучения. Так как N(d) ≈ N
0
e
−µd
и N (d
1/2
) ≈
N
0
/2, то
d
1/2
≈
ln2
µ
≈
0,693
µ
. (5.11)
Коэффициент ослабления µ находят по наклону прямолинейно-
го участка кривой поглощения (µ = tg ϕ, где ϕ — угол наклона
прямой).
Связь между толщиной слоя алюминия, ослабляющего излу-
чение в 2
n
раз, и верхней границей бета-спектра была тщатель-
но исследована. На рис. 43 приводится номограмма, связываю-
щая толщину слоя половинного поглощения с граничной энергией
β−спектра.
§ 5. Обратное рассеяние электронов
При попадании потока электронов на поверхность какого-либо
материала часть частиц может отклониться от своего первона-
чального направления на угол, превышающий 90
◦
. Этот эффект
называется обратным рассеянием электронов. Обратное рассея-
ние электронов используется для решения ряда прикладных за-
дач, например для определения толщины покрытий. Этот же эф-
фект может б ыть и источником мет одических погрешностей. Его
01/09 85
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 83
- 84
- 85
- 86
- 87
- …
- следующая ›
- последняя »
