Составители:
Рис. 32. Зависимость коэффи-
циента обратного рассеяния q от
атомного номера Z отражателя
Рис. 33. Зависимость коэффи-
циента обратного рассеяния от
толщины отражателя
Если увелич ивать толщину отражателя и измерять интенсив-
ность потока об ратно рассеянных электронов, то сначала q будет
возрастать почти линейно (рис. 33), затем рост замедлится и да-
лее дос тигнет некоторого предельного значения q
макс
.
Толщина слоя вещества, начиная с которой q не зависит от
толщины отражателя, называется толщиной насыщения обрат-
ного рассеяния d
н
. Эта толщина равна примерно 1/5 от макси-
мального пробега бета-частиц данной энергии в данном веществе.
Величина q завис ит от атомного номера Z и слабо за висит от
плотности электронов в веществе. Из рис. 34 видно, что q
макс
(Pt,
Рис. 34. Зависимость коэффици-
ента обратного рассеяния от тол-
щины отражателя из различ-
ных металлов. Излучатель
32
P,
E
гр
=1,7 МэВ
Z=78) меньше q
макс
(Pb, Z=82),
хотя плотность электронов в
платине больше, чем в свинце.
Это свидетельствует о том, что
рассеяние происходит в основ-
ном на атомных ядрах, а не на
электронах оболочек атомов .
На рис. 35 схематически
изображено обратное рассеяние
бета-частиц при разных толщи-
нах рассеивателя. Следует от-
метить, что обратное рассеяние
бета-частиц в отличие от опти-
ческого отражения происходит
01/09 87
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 85
- 86
- 87
- 88
- 89
- …
- следующая ›
- последняя »
