Практикум по ядерной физике. В.О. Сергеева - 88 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Рис. 35. Отражение бета-частиц в зависимости от толщины образца

не только на поверхности рассеивателя, но и в его глубине. На

схеме действительная картина обратного рассеяния силь но упро-

щена: показано рассеяние на один и тот же у гол и не учтено по-

глощение бета-част иц вещество м. При небольшой толщине рас-

сеивателя (а, d<d

) большинство эле ктронов проходит сквозь

вещество и лишь небольшое их число рассеивается в обратном

направлении. По мере увеличения толщины число обратно рас-

сеянных электронов увеличивается (б, в). Наконец, при d > d

частицы, глубоко проникшие в рассеиватель, уже не выйдут на-

ружу из-з а поглощения в нем (г). При дальнейшем увеличении

толщины рассеивателя число в ы ш е д ш и х из него обратно рассе-

янных электронов о стается постоянным.

Коэффициент обратного рассеяния растет с росто м гранич-

ной энергии бета-спектра до энергии 0,6 МэВ, а далее остается

практически неизменным. Зависимость коэффициента обрат ного

рассеяния q от максимальной э нергии показана на рис. 36.

Явление о братного рассеяния электроно в может быть исполь-

зовано для решения многих прикладных задач:

а) Для определения толщины мате риалов. В этом случае вы-

годнее применять источники мягкого бета-излучения. Зависи-

мость коэффициента обратного рассеяния от толщины алюминие-

вого отражателя для разных бета-исто чников показана на рис. 37.

б) Для определения толщины покрытий. Эффект обра тного

рассеяния позволяет измерять толщины покрытия без разруше-

ния изделий и покрытий. Не разрушает изделие микрометриче-

ский метод, но он требует жесткого постоянства то лщины о с но-

вания, а также магнитный метод, но в этом случае покрытие

должно обладать магнитными свойствами. Оптическими мет о-

дами можно определить толщины только прозрачных покрытий.