Элементы квантовой, атомной и ядерной физики. Полицинский Е.В. - 102 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

102
зоне. Если же А
м
> А (рис. 59, б), то в контактном слое полупроводника
р-типа наблюдается избыток основных носителей тока – дырок в ва-
лентной зоне, контактный слой обладает повышенной проводимостью.
Таким образом, запирающий контактный сдой возникает при кон-
такте донорного полупроводника с меньшей работой выхода, чем у ме-
талла (рис. 59, б), и у акцепторного – с большей работой выхода, чем у
металла (рис. 59, в).
Запирающий
контактный слой обладает односторонней (вен-
тильной) проводимостью, то есть при
приложении к контакту внеш-
него электрического поля он пропускает ток практически только в
одном направлении: либо из металла в полупроводник, либо из по-
лупроводника в металл. Это важнейшее свойство запирающего слоя
объясняется зависимостью его сопротивления от направления внешнего
поля.
Если направления внешнего и контактного полей противополож-
ны, то основные носители тока втягиваются в контактный слой из объе-
ма полупроводника. Толщина контактного слоя, обеднённого основны-
ми носителями тока, и его сопротивление уменьшаются. В этом направ-
лении, называемом пропускным, электрический ток может проходить
через контакт металл – полупроводник. Если внешнее поле совпадает по
знаку с контактным, то основные носители тока будут перемещаться от
границы с металлом и толщина обеднённого слоя возрастает как и его
сопротивление. В этом случае ток через контакт отсутствует, выпрями-
тель заперт – это запорное направление. Для запирающего слоя на гра-
нице металла с полупроводником n-типа (A
м
>А) пропускным является
направление тока из металла в полупроводник, а для запирающего слоя
на границе металла с полупроводником р-типа (A
м
<А) – из полупровод-
ника в металл.
4.8. Контакт электронного
и дырочного полупроводников (p-n-переход)
Граница соприкосновения двух полупроводников, один из ко-
торых имеет электронную, а другой – дырочную проводимость, на-
зывается электронно-дырочным переходом (или p-n-переходом).
Эти переходы имеют большое практическое значение, являясь основой
работы многих полупроводниковых приборов. p-n-переход нельзя осу-
ществить просто механическим соединением двух полупроводников.
Обычно области различной проводимости создают либо при выращива-
нии кристаллов, либо при соответствующей обработке кристаллов. На-
пример, на кристалл германия n-типа накладывается индиевая «таблет-

Страницы