Элементы квантовой, атомной и ядерной физики. Полицинский Е.В. - 104 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

104

Рис. 61.К физическим процессам происходящим в

p-n-переходе

Толщина d слоя p-n-перехода в полупроводниках составляет при-

мерно 10

–6

– 10

–7

м, а контактная разность потенциалов – десятые доли

вольт. Носители тока способны преодолеть такую разность потенциалов

лишь при температуре в несколько тысяч градусов, то есть при обыч-

ных температурах равновесный контактный слой является запираю

щим (характеризуется повышенным сопротивлением).

Сопротивление запирающего слоя можно изменить с помощью

внешнего электрического поля. Если приложенное к p-n-переходу

внешнее электрическое поле направлено от n-полупроводника к p-

полупроводнику (рис. 62, a), то есть совпадает с полем контактного

слоя, то оно вызывает движение электронов в n-полупроводнике и ды-

рок в p-полупроводнике от границы p-n-перехода в противоположные

стороны. В результате запирающий слой расширится и его сопротивле-

ние возрастет. Направление

внешнего поля, расширяющего запи-

рающий слой, называется запирающим (обратным). В этом направ-

лении электрический ток через p-n-переход практически не прохо-

дит. Ток в запирающем слое в запирающем направлении образуется

лишь за счет неосновных носителей тока (электронов в p-

полупроводнике и дырок в n-полупроводнике).

Если приложенное к p-n-переходу внешнее электрическое поле

направлено противоположно полю контактного слоя (рис. 62, б), то оно

вызывает движение электронов в n-полупроводнике и дырок в p-

полупроводнике к границе p-n-перехода навстречу друг другу. В этой

области они рекомбинируют, толщина контактного слоя и его сопротив-