Элементы квантовой, атомной и ядерной физики. Полицинский Е.В. - 106 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

106
основными носителями тока (рис. 63, левая ветвь). Быстрое возрастание
этого тока означает пробой контактного слоя и его разрушение. При
включении в цепь переменного тока p-n-переходы действуют как вы-
прямители.
4.9. Полупроводниковые диоды и триоды
Односторонняя проводимость контактов двух полупроводников
(или металла с полупроводником) используется для выпрямления и
преобразования переменных токов. Если имеется один электронно-
дырочный переход, то его действие аналогично действию двухэлек-
тродной лампы – диода. Поэтому полупроводниковое
устройство, со-
держащее один p-n-переход, называется полупроводниковым (кри-
сталлическим) диодом. Полупроводниковые диоды по конструкции де-
лятся на точечные и плоскостные.
В качестве примера рассмотрим точечный германиевый диод (рис.
64), в котором тонкая вольфрамовая проволока 1 прижимается к n-
германию 2 остриём, покрытым алюминием. Если через диод в прямом
направлении пропустить кратковременный импульс тока, то при этом
резко повышается диффузия Аl в Gе и образуется слой германия, обо-
гащенный алюминием и обладающий p-проводимостью. На границе
этого слоя образуется p-n-переход, обладающий высоким коэффициен-
том выпрямления. Благодаря малой ёмкости контактного слоя точечные
диоды применяются в качестве детекторов (выпрямителей) высокочас-
тотных колебаний.
Рис. 64. Точечный германиевый диод
Принципиальная схема плоскостного меднозакисного (купоросно-
го) выпрямителя дана на рис. 65. На медную пластину с помощью хи-
мической обработки наращивается слой закиси меди Сu
2
О, который по-
крывается слоем серебра. Серебряный электрод служит только для
включения выпрямителя в цепь. Часть слоя Сu
2
О, прилегающая к меди
и обогащённая ею, обладает электронной проводимостью, а часть слоя
Сu
2
О, прилегающая к Ag и обогащенная (в процессе изготовления вы-
прямителя) кислородом, – дырочной проводимостью. Таким образом, в
толще закиси меди образуется запирающий слой с пропускным направ-
лением тока от Сu
2
О к Сu (p→n).

Страницы