Элементы квантовой, атомной и ядерной физики. Полицинский Е.В. - 108 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

108
Рис.66. Схема триода на основе n-полупроводника
Протекание тока в цепи эмиттера обусловлено в основном движе-
нием дырок (они являются основными носителями тока) и сопровожда-
ется их «впрыскиванием» – инжекцией – в область базы. Проникшие в
базу дырки диффундируют по направлению к коллектору, причем при
небольшой толщине базы значительная часть инжектированных дырок
достигает коллектора. Здесь дырки захватываются полем, действующим
внутри перехода (притягиваются к отрицательно заряженному коллек-
тору), вследствие чего изменяется ток коллектора. Следовательно, вся
-
кое изменение тока в цепи эмиттера вызывает изменение тока в це-
пи коллектора.
Прикладывая между эмиттером и базой переменное напряжение,
получим в цепи коллектора переменный ток, а на выходном сопротив-
лении – переменное напряжение. Величина усиления зависит от свойств
р-n-переходов, нагрузочных сопротивлений и напряжения батареи Бк.
Обычно R
вых
>>R
вх
, поэтому U
вых
значительно превышает входное на-
пряжение Uвх (усиление может достигать 10 000). Так как мощность
переменного тока, выделяемая в R
вых
, может быть больше, чем расхо-
дуемая в цепи эмиттера, то транзистор даст и усиление мощности. Эта
усиленная мощность появляется за счет источника тока, включенного в
цепь коллектора. Таким образом, транзистор, подобно электронной
лампе, даёт усиление и напряжения и мощности. Если в лампе анод-
ный ток управляется напряжением на сетке, то в транзисторе ток кол-
лектора, соответствующий анодному току лампы, управляется напря-
жением на базе.
Принцип работы транзистора n-p-n-типа аналогичен рассмотрен-
ному выше, но роль дырок играют электроны. Существуют и другие ти-
пы транзисторов, так же как и другие схемы их включения. Благодаря
своим преимуществам перед электронными лампами (малые габарит-
ные размеры, большие к.п.д. и срок службы, отсутствие накаливаемого
катода (поэтому потребление меньшей мощности), отсутствие необ-
ходимости в вакууме и т. д.) транзистор совершил революцию в области
электронных средств связи и обеспечил создание быстродействующих
ЭВМ.

Страницы