Материаловедение и технология конструкционных материалов. Попов Г.В - 66 стр.

       С т о л б е ц 9 – sinϑ. Значения sinϑ должны быть записа-
ны с точностью до четвертого знака после запятой.
       С т о л б е ц 1 0 – разделение α- и β-отражений. После оп-
ределения sinϑ необходимо произвести отделение линий, полу-
чившихся за счет β-излучения («β-линий»), от линий, получив-
шихся за счет α-излучения.
      Если плоскости оказались в одних кристаллитах под отра-
жающим углом ϑα по отношению к λα , тогда
                                       nλ
                             sin ϑα = α .                      (1)
                                        2d
      В других кристаллитах аналогичные плоскости могут ока-
заться под отражающим углом ϑβ по отношению к λβ, тогда
                                      nλ β
                            sin ϑ β =      .                   (2)
                                       2d
      β-линии должны быть слабее по интенсивности, чем α-
линии, образовавшиеся при отражении от аналогичных плоско-
стей; кроме того, они должны быть расположены под меньшими
углами ϑ (так как λβ < λα).
Из (1) и (2) следует, что
                            sin ϑ β λ β
                                   =    = 0,9009,
                            sin ϑα λ α
откуда
                     sinϑβ = 0,9009 sinϑα.                  (3)
      Практически в ряду sinϑ находят значения sinϑ, соответст-
вующие наиболее интенсивным отражениям о.с., с., и ср. по визу-
альной шкале. Согласно (3) находят, каковы значения sinϑβ для
соответствующих отражений. Полученный ряд sinϑβ сопоставля-
ют с расчетными значениями sinϑ.
      Если найдется линия, для которой sinϑ окажется равным
значению, вычисленному из (3), и если интенсивность этой линии
окажется заметно меньшей (примерно в 4-5 раз), чем у линии,
приписанной α-излучению, то эти две линии действительно обра-
зовались благодаря отражению лучей Кβ и Кα от плоскостей с
одинаковым значением d. Тогда в столбце 10 против этих двух

66