Микроэлектроника. Попов А.Э. - 4 стр.

Кафедра: Информационные системы и радиотехника УП:351400-5-5_R.pli                                         Стр. 4
                                    4.2 Разделы дисциплины и виды занятий
                                                   СЕМЕСТР 6
            (17 учебных недель. В неделю: 2,0 час. лекций; 0,9 час. лабораторных; 0,9 час. практики)
                                   Модуль 1 (18 неделя - контрольная точка)
                          Раздел 1. Конструкторско-технологические основы. (24 час)
                1      Лекц. 1      2 Металлы, диэлектрики, полупроводники. Основы зонной теории. Носители
 6.01.01.01
                                         зарядов.
                2      Лекц. 2      2 Элементы электротехники. Сопротивление, удельное сопротивление. Закон
 6.01.01.02
                                         Ома, правила Кирхгоффа.
                3      Лекц. 3      2 Полупроводниковые диоды. Структура, основные параметры и
 6.01.01.03
                                         характеристики.
                4      Лекц. 4      2 Вольт-амперная         характеристика диода. Частотные зависимости и
 6.01.01.04
                                         физический смысл параметров диода.
                     Сам. работа    4 Влияние поверхностных состояний на ВАХ диода. Переходные процессы в
 6.01.01.05
                                         диодах.
 6.01.01.06          Сам. работа    4 Выпрямительные, импульсные и СВЧ диоды. Стабилитроны и стабисторы.
                     Сам. работа    4 Лавинный, туннельный и тепловой пробой.Туннельные и обращенные
 6.01.01.07
                                         диоды. Варикапы.
                     Сам. работа    4 Надежность диодов. Системы условных обозначений и маркировки диодов
 6.01.01.08
                                         и транзисторов.
                             Раздел 2. Транзисторы полупроводниковых ИС. (34 час)
                5      Лекц. 5      2 Биполярные транзисторы. Структура и основные режимы работы.
 6.01.02.01
                                         Распределение стационарных потоков носителей зарядов.
                     Сам. работа    4 Постоянные токи при активном режиме. Статические параметры.Пробой
 6.01.02.02
                                         транзисторов. Статические характеристики, их зависимость от режима.
                6      Лекц. 6      2 Малосигнальные         параметры.    Эквивалентные     схемы.    Частотные
 6.01.02.03
                                         характеристики.
                     Сам. работа    4 Работа в импульсном режиме. Технология изготовления, конструкция и
 6.01.02.04
                                         надежность биполярных транзисторов.
 6.01.02.05          Сам. работа    4 Шумы биполярных транзисторов.
                7      Лекц. 7      2 Полевые транзисторы. Полевые транзисторы с управляющим p-n
 6.01.02.06
                                         переходом.
                     Сам. работа    4 Расчет статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-
 6.01.02.07
                                         n переходом
 6.01.02.08          Сам. работа    4 Частотные характеристики с p-n переходом.
                8      Лекц. 8      2 Полевые транзисторы с изолированным затвором. МОП-транзисторы со
 6.01.02.09
                                         встроенным каналом.
 6.01.02.10     9      Лекц. 9      2 МОП-транзисторы с индуцированным каналом.
                     Сам. работа    4 Расчет статических характеристик МОП-транзисторов и их параметры.
 6.01.02.11
                                         Приборы с зарядовой связью (ПЗС) и их параметры.
                                            Раздел 3. Тиристоры (6 час)
               10     Лекц. 10      2 Тиристоры. Диодные тиристоры. Триодные тиристоры. Симметричные
 6.01.03.01
                                         тиристоры.
                     Сам. работа    4 Способы управления тиристорами. Технология изготовления и конструкция
 6.01.03.02
                                         тиристоров.
                                 Раздел 4. Интегральные микросхемы. (50 час)
 6.01.04.01    11     Лекц. 11      2 Задачи и принципы микроэлектроники
               12     Лекц. 12      2 Классификация и системы условных обозначений интегральных микросхем
 6.01.04.02
                                         (ИМС).
 6.01.04.03          Сам. работа    4 Технологические методы изготовления ИМС.
 6.01.04.04          Сам. работа    4 Активные и пассивные элементы
               13     Лекц. 13      2 Оптоэлектронные полупроводниковые приборы. Классификация и системы
 6.01.04.05
                                         условных обозначений оптоэлектронных приборов.
               14     Лекц. 14      2 Светодиоды и светодиодные матрицы, их основные параметры и
 6.01.04.06
                                         характеристики.
 6.01.04.07          Сам. работа    4 Электролюминесцентные приборы Полупроводниковые лазеры.
                     Сам. работа    4 Фоторезисторы.        Фотодиоды     и   фототранзисторы.     Оптопары     и
 6.01.04.08
                                         оптоэлектронные ИМС.
               15     Лекц. 15      2 Электровакуумные приборы. Системы условных обозначений и маркировки
 6.01.04.09
                                         электровакуумных приборов.
 6.01.04.10          Сам. работа    4 Устройство, конструкция и принцип действия вакуумного диода.
                     Сам. работа    4 Катоды, аноды. Статические и динамические свойства и характеристики
 6.01.04.11
                                         диода. Типы диодов. Устройство, конструкция и принцип действия триода.
                     Сам. работа    4 Статические характеристики и дифференциальные параметры триода.
 6.01.04.12
                                         Определение параметров по характеристикам. Типы триодов.
 6.01.04.13    16     Лекц. 16      2 Тетроды, динатронный эффект. Пентоды, типы пентодов. Многосеточные и

13:22:59 22.03.2006                                                     Информационные системы и радиотехника