Микроэлектроника. Попов А.Э. - 6 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИСОиП ДГТУ | Шахты

Составители: 

Рубрика: 

Кафедра: Информационные системы и радиотехника УП:351400-5-5_R.pli Стр. 6
13:22:59 22.03.2006 Информационные системы и радиотехника
4.3 Содержание разделов дисциплины
01.07 Лавинный, туннельный и тепловой пробой.Туннельные и обращенные диоды.
Варикапы. /самостоятельная работа/
[1.001] [1.002]
[1.003] [1.004]
[1.005] [2.001]
[2.002] [2.003]
[2.004] [3.001]
[3.002] [3.003]
4
01.08 Надежность диодов. Системы условных обозначений и маркировки диодов и
транзисторов. /самостоятельная работа/
[1.001] [1.002]
[1.003] [1.004]
[1.005] [2.001]
[2.002] [2.003]
[2.004] [3.001]
[3.002] [3.003]
4
Раздел 2. Транзисторы полупроводниковых ИС.
34
02.01 Биполярные транзисторы. Структура и основные режимы работы.
Распределение стационарных потоков носителей зарядов. /лекция/
[1.007] [1.006]
[1.005] [1.004]
[1.002] [2.001]
[2.002] [2.003]
[2.004] [3.001]
[3.002] [3.003]
2
02.02 Постоянные токи при активном режиме. Статические параметры.Пробой
транзисторов. Статические характеристики, их зависимость от режима.
/самостоятельная работа/
[1.007] [1.006]
[1.005] [1.004]
[1.002] [2.001]
[2.002] [2.003]
[2.004] [3.001]
[3.002] [3.003]
4
02.03 Малосигнальные параметры. Эквивалентные схемы. Частотные
характеристики. /лекция/
[1.007] [1.006]
[1.005] [1.004]
[1.002] [2.001]
[2.002] [2.003]
[2.004] [3.001]
[3.002] [3.003]
2
02.04 Работа в импульсном режиме. Технология изготовления, конструкция и
надежность биполярных транзисторов. /самостоятельная работа/
[1.007] [1.006]
[1.005] [1.004]
[1.002] [2.001]
[2.002] [2.003]
[2.004] [3.001]
[3.002] [3.003]
4
02.05 Шумы биполярных транзисторов. /самостоятельная работа/ [1.007] [1.006]
[1.005] [1.004]
[1.002] [2.001]
[2.002] [2.003]
[2.004] [3.001]
[3.002] [3.003]
4
02.06 Полевые транзисторы. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом.
/лекция/
[1.007] [1.006]
[1.005] [1.004]
[1.002] [2.001]
[2.002] [2.003]
[2.004] [3.001]
[3.002] [3.003]
2
02.07 Расчет статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n
переходом /самостоятельная работа/
[1.007] [1.006]
[1.005] [1.004]
[1.002] [2.001]
[2.002] [2.003]
[2.004] [3.001]
[3.002] [3.003]
4
02.08 Частотные характеристики с p-n переходом. /самостоятельная работа/ [1.007] [1.006]
[1.005] [1.004]
[1.002] [2.001]
[2.002] [2.003]
[2.004] [3.001]
[3.002] [3.003]
4
02.09 Полевые транзисторы с изолированным затвором. МОП-транзисторы со
встроенным каналом. /лекция/
[1.007] [1.006]
[1.005] [1.004]
[1.002] [2.001]
[2.002] [2.003]
[2.004] [3.001]
2 
Кафедра: Информационные системы и радиотехника УП:351400-5-5_R.pli                                     Стр. 6
                                    4.3 Содержание разделов дисциплины
  01.07 Лавинный, туннельный и тепловой пробой.Туннельные и обращенные диоды.        [1.001] [1.002]   4
          Варикапы. /самостоятельная работа/                                         [1.003] [1.004]
                                                                                     [1.005] [2.001]
                                                                                     [2.002] [2.003]
                                                                                     [2.004] [3.001]
                                                                                     [3.002] [3.003]
  01.08   Надежность диодов. Системы условных обозначений и маркировки диодов и      [1.001] [1.002]   4
          транзисторов. /самостоятельная работа/                                     [1.003] [1.004]
                                                                                     [1.005] [2.001]
                                                                                     [2.002] [2.003]
                                                                                     [2.004] [3.001]
                                                                                     [3.002] [3.003]
                        Раздел 2. Транзисторы полупроводниковых ИС.                                    34
  02.01   Биполярные транзисторы. Структура и основные режимы работы.                [1.007] [1.006]    2
          Распределение стационарных потоков носителей зарядов. /лекция/             [1.005] [1.004]
                                                                                     [1.002] [2.001]
                                                                                     [2.002] [2.003]
                                                                                     [2.004] [3.001]
                                                                                     [3.002] [3.003]
  02.02   Постоянные токи при активном режиме. Статические параметры.Пробой          [1.007] [1.006]   4
          транзисторов. Статические характеристики, их зависимость от режима.        [1.005] [1.004]
          /самостоятельная работа/                                                   [1.002] [2.001]
                                                                                     [2.002] [2.003]
                                                                                     [2.004] [3.001]
                                                                                     [3.002] [3.003]
  02.03   Малосигнальные параметры. Эквивалентные схемы. Частотные                   [1.007] [1.006]   2
          характеристики. /лекция/                                                   [1.005] [1.004]
                                                                                     [1.002] [2.001]
                                                                                     [2.002] [2.003]
                                                                                     [2.004] [3.001]
                                                                                     [3.002] [3.003]
  02.04   Работа в импульсном режиме. Технология изготовления, конструкция и         [1.007] [1.006]   4
          надежность биполярных транзисторов. /самостоятельная работа/               [1.005] [1.004]
                                                                                     [1.002] [2.001]
                                                                                     [2.002] [2.003]
                                                                                     [2.004] [3.001]
                                                                                     [3.002] [3.003]
  02.05   Шумы биполярных транзисторов. /самостоятельная работа/                     [1.007] [1.006]   4
                                                                                     [1.005] [1.004]
                                                                                     [1.002] [2.001]
                                                                                     [2.002] [2.003]
                                                                                     [2.004] [3.001]
                                                                                     [3.002] [3.003]
  02.06   Полевые транзисторы. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом.      [1.007] [1.006]   2
          /лекция/                                                                   [1.005] [1.004]
                                                                                     [1.002] [2.001]
                                                                                     [2.002] [2.003]
                                                                                     [2.004] [3.001]
                                                                                     [3.002] [3.003]
  02.07   Расчет статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n    [1.007] [1.006]   4
          переходом /самостоятельная работа/                                         [1.005] [1.004]
                                                                                     [1.002] [2.001]
                                                                                     [2.002] [2.003]
                                                                                     [2.004] [3.001]
                                                                                     [3.002] [3.003]
  02.08   Частотные характеристики с p-n переходом. /самостоятельная работа/         [1.007] [1.006]   4
                                                                                     [1.005] [1.004]
                                                                                     [1.002] [2.001]
                                                                                     [2.002] [2.003]
                                                                                     [2.004] [3.001]
                                                                                     [3.002] [3.003]
  02.09   Полевые транзисторы с изолированным затвором. МОП-транзисторы со           [1.007] [1.006]   2
          встроенным каналом. /лекция/                                               [1.005] [1.004]
                                                                                     [1.002] [2.001]
                                                                                     [2.002] [2.003]
                                                                                     [2.004] [3.001]

13:22:59 22.03.2006                                                    Информационные системы и радиотехника

Страницы