Проектирование полосковых устройств СВЧ. - 48 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Рубрика: 

42
для нечетного возбуждения
()
() () ()
++
−−
+=
h
t
htd
dC
h
s
hsd
dC
h
W
hWd
dC
Cc
hZ
R
вt
o
вt
o
вt
o
вt
o
o
s
o
ПР
2
1
2
1
2
1
12
240
686,8
2
0
δδδ
π
α
, (2.88)
для четного возбуждения
()
() () ()
++
−−
+=
h
t
htd
dC
h
s
hsd
dC
h
W
hWd
dC
Cc
hZ
R
вt
e
вt
e
вt
e
вt
e
e
s
e
ПР
2
1
2
1
2
1
12
240
686,8
2
0
δδδ
π
α
, (2.89)
где
δ
=1 и 2 для затухания только в полосковых проводниках и для затухания
в полосковых проводниках и заземленной пластине;
00
1
εµ
=
с
;
вt
o
С
и
вt
e
С
–
емкости для нечетного и четного типов возбуждения линии в случае, если
диэлектриком между полосками конечной толщины служит воздух;
R
s
–
сопротивление металлизированного слоя.
Затухание (дБ/м), вызванное потерями в диэлектрике
α
Д
, определяется
как
0
1
1
3,27
λ
δ
ε
ε
ε
ε
α
tg
r
e
rЭ
e
rЭ
r
e
Д
−
−
=
, (2.90)
0
1
1
3,27
λ
δ
ε
ε
ε
ε
α
tg
r
o
rЭ
o
rЭ
r
o
Д
−
−
=
, (2.91)
где
tg
δ
– тангенс угла потерь диэлектрической подложки,
λ
0
– длина волны в
свободном пространстве.
При синтезе связанных микрополосковых линий предпочтительнее
использовать следующие формулы, которые дают наименьшую погрешность:
+
+−
=
1
122
G
GH
Arch
h
W
se
π
, (2.92)
()
621
2
8
1
122
≤
+
+
+
−
+−
=
r
r
so
для
hs
hW
Arch
G
GH
Arch
h
W
ε
εππ
, (2.93)
621
1
1
122
≥
++
−
+−
=
r
so
для
hs
hW
Arch
G
GH
Arch
h
W
ε
ππ
, (2.94)
где

Страницы