ВУЗ:
Рубрика:
3. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и
диэлектриков. М.: - Металлургия, 1988 г.
Раздел 2. Физические основы микроэлектроники
1. Волновая функция, уравнение Шредингера, квантование энергии.
2. Движение электрона в одномерной бесконечно глубокой потенциальной яме.
Прохождение частицы через потенциальный барьер.
3. Понятие об энергетических зонах. Приближение слабой и сильной связи.
Зонная структура
диэлектриков, полупроводников и металлов.
4. Статистика электронов и дырок в полупроводниках. Фазовое и импульсное
пространство. Функции распределения Максвелла-Больцмана, Ферми-Дирака,
Бозе-Эйнштейна.
5. Собственные полупроводники. Концентрация носителей заряда в них.
Условие электронейтральности , положение уровня Ферми.
6. Примесные уровни в полупроводниках. концентрация носителей заряда в них.
Положение уровня Фермии его
температурная зависимость.
7. Генерация и рекомбинация носителей заряда. Скорость рекомбинации и
время жизни носителей заряда.
8. Механизмы рекомбинации. Время жизни свободных носителей.
9. Рекомбинация через примесные центры и межзонная. Поверхностная
рекомбинация. Время жизни носителей заряда и их подвижность.
10. Уравнение баланса носителей заряда в полупроводниках. Диффузионный и
дрейфовый токи в полупроводниках
. Соотношение Эйнштейна. Уравнение
непрерывности.
11. Решение уравнения непрерывности с учетом токов и рекомбинации носителей
заряда
12. Электропроводность металлов, сплавов, полупроводников. Эффект сильного
поля. Эффект Ганна.
13. Явление сверхпроводимости. Влияние магнитного поля на сверхпроводники.
Эффект Мейснера. Критическое значение температуры, тока, магнитного
поля.
14. Интерференция и квантование магнитного потока в сверхпроводниках.
Физика
перехода Джозефсона.
15. Работа выхода и контактная разность потенциалов. Термоэлектронная
эмиссия. Выпрямление на контакте полупроводник - металл.
16. p-n переход. Энергетические диаграммы p-n перехода в равновесном и
неравновесном состояниях. Выпрямление на p-n переходе.
17. Взаимодействие двух p-n переходов. Транзисторный эффект. Принцип работы
биполярного транзистора.
18. Взаимодействие трех p-n переходов. Тиристорный эффект. Принцип работы
тиристоров.
19. Поверхностные
состояния. Эффект поля. Структура металл – диэлектрик –
полупроводник. Обедненные, обогащенные и инверсные слои.
20. Полевые транзисторы с индуцированным каналом. n и p – типа и их работа.
Эффект короткого канала.
