Программа государственного экзамена по направлению подготовки бакалавров 551100 "Проектирование и технология электронных средств". - 4 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Рубрика: 

Рекомендуемая литература:
1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. Издание второе. – М.:
Лаборатория базовых знаний, 2000 г.
2. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. – М.: Наука,
1977г.
3. Л. Росадо. Физическая электроника и микроэлектроника. – М.: Высшая школа,
1991г.
4. Г.И. Епифанов, Ю.Л. Мома. Физические основы конструирования и
производства РЭА и ЭВА. – М.: Высшая школа, 1986 г.
Раздел 3. Физико-химические основы технологии электронных средств
1. Термодинамика процессов химического осаждения пленок.
2. Кинетика процессов химического осаждения пленок.
3. Термодинамика образования зародышей пленки.
4. Критический радиус и критическая энергия зародыша.
5. Кинетика роста зародыша при гомогенном и гетерогенном механизмах роста.
6.
Силы связи атомов с поверхностью, поверхностная миграция
адсорбированных частиц.
7. Термодинамика и кинетика вакуумного термического осаждения пленок.
8. Законы диффузии.
9. Термодинамические основы технологических процессов.
10. Константы химического равновесия и их температурная зависимость.
11. Взаимодействие поверхности твердого тела с жидкими, газообразными и
твердыми частицами.
12. Поверхностная энергия и поверхностное натяжение.
13.
Адсорбционное уравнение Гиббса.
14. Механизмы ионно-плазменных процессов нанесения тонких пленок.
15. Физико-химические основы плазмохимического травления.
16. Законы распределения примеси в объеме твердого тела.
17. Физико-химические основы процессов эпитаксиального наращивания пленок.
18. Физико-химические основы процессов литографии.
Рекомендуемая литература:
1. Чистяков Ю.Д., Райнова Ю.П. Физико-химические
основы технологии
микроэлектроники. М.: Металлургия, 1979. -408 с.
2. Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии радиоэлектронной
аппаратуры. М.: Высшая школа, 1978. – 376 с.
Раздел 4. Схемотехника электронных средств
1. Простой усилительный каскад на биполярном транзисторе, назначение
элементов. Как зависят усилительные свойства каскада от вариаций
элементов.
2. Как применить Т-образную эквивалентную схему транзистора для расчета
входного сопротивления и усиления напряжения каскада?

Страницы