Расчет усилительного каскада на биполярном транзисторе. Прохоров С.Г - 11 стр.

UptoLike

11
Далее следует учесть то, что реальные сопротивления всегда имеют
технологический разброс значений, зависящий от класса точности изготов-
ления резисторов. Поэтому необходимо определить значения коэффициента
температурной нестабильности и приращения коллекторного тока, если рези-
сторы R
1
, R
2
, R
к
, R
э
имеют разброс параметров ±δ.
Допустим, что в нашем случае разброс параметров сопротивлений ра-
вен ±δ=30%. Рассчитаем два варианта, когда коэффициент температурной
нестабильности и, следовательно, приращение коллекторного тока будут
иметь максимальное и минимальное значения. Это произойдет в том случае,
когда параметр D будет принимать минимальное и максимальное значения
соответственно. Если сопротивления
R
к
, R
э
изменятся наδ, а R
1
, R
2
на +δ,
то параметр D, будет иметь минимальное значение. Если резисторы R
к
, R
э
изменятся на +δ, а R
1
, R
2
наδ, то параметр D достигнет максимального
значения. Определим, какие значения примут резисторы при заданном раз-
бросе параметров:
R
1min
=5100 – δ = 3570 Ом; R
1max
=5100 + δ = 6630 Ом;
R
2min
=1500 – δ = 1050 Ом; R
2max
=1500 + δ = 1950 Ом;
R
кmin
= 430 – δ = 301 Ом; R
кmax
= 430 + δ = 559 Ом;
R
эmin
= 100 – δ = 70 Ом; R
эmax
= 100 + δ = 130 Ом.
Рассчитаем минимальное и максимальное значение параметра D:
.1796.00194,01238,00364,0
10503570
559130
1050
130
3570
130
;0481,00016,00359,00106,0
19506630
30170
1950
70
6630
70
max
min
=++=
++=
=++=
++=
D
D
Далее найдем максимальное и минимальное значения S:
.91,5
1796,098,01
1796,01
α1
1
;4,15
0481,098,01
0481,01
α1
1
max
max
min
min
min
max
=
+
+
=
+
+
=
=
+
+
=
+
+
=
D
D
S
D
D
S
Теперь определим приращения коллекторного тока:
()
()
А.1067,010671,01055,11391,5
ε
А;107,110749,11055,1134,15
ε
336
э21
э21
к0б
э
к0minminк
336
э21
э21
к0б
бэ
к0maxmaxк
==
=
Δ
++
+
Δ
+Δ=Δ
==
=
Δ
++
+
Δ
+Δ=Δ
h
h
II
RR
T
ISI
h
h
II
RR
T
ISI
б
На этом расчет статического режима работы транзистора закончен.
      Далее следует учесть то, что реальные сопротивления всегда имеют
технологический разброс значений, зависящий от класса точности изготов-
ления резисторов. Поэтому необходимо определить значения коэффициента
температурной нестабильности и приращения коллекторного тока, если рези-
сторы R1, R2, Rк, Rэ имеют разброс параметров ±δ.
      Допустим, что в нашем случае разброс параметров сопротивлений ра-
вен ±δ=30%. Рассчитаем два варианта, когда коэффициент температурной
нестабильности и, следовательно, приращение коллекторного тока будут
иметь максимальное и минимальное значения. Это произойдет в том случае,
когда параметр D будет принимать минимальное и максимальное значения
соответственно. Если сопротивления Rк, Rэ изменятся на –δ, а R1, R2 – на +δ,
то параметр D, будет иметь минимальное значение. Если резисторы Rк, Rэ
изменятся на +δ, а R1, R2 – на –δ, то параметр D достигнет максимального
значения. Определим, какие значения примут резисторы при заданном раз-
бросе параметров:
     R1min =5100 – δ = 3570 Ом; R1max =5100 + δ = 6630 Ом;
     R2min =1500 – δ = 1050 Ом; R2max =1500 + δ = 1950 Ом;
     Rкmin = 430 – δ = 301 Ом; Rкmax = 430 + δ = 559 Ом;
     Rэmin = 100 – δ = 70 Ом;   Rэmax = 100 + δ = 130 Ом.
     Рассчитаем минимальное и максимальное значение параметра D:
                70    70    70 ⋅ 301
      Dmin =        +     +           = 0,0106 + 0,0359 + 0,0016 = 0,0481;
               6630 1950 6630 ⋅ 1950
                130   130   130 ⋅ 559
      Dmax   =      +     +           = 0,0364 + 0,1238 + 0,0194 = 0.1796.
               3570 1050 3570 ⋅ 1050
     Далее найдем максимальное и минимальное значения S:
                  1 + Dmin       1 + 0,0481
      S max =               =                  = 15,4;
                1 − α + Dmin 1 − 0,98 + 0,0481
                  1 + Dmax       1 + 0,1796
      S min =               =                  = 5,91.
                1 − α + Dmax 1 − 0,98 + 0,1796
     Теперь определим приращения коллекторного тока:
                         ⎡         ε ⋅ ΔT                Δh ⎤
      ΔI к max = S max ⋅ ⎢ΔI к0 +         + (I б + I к0 ) 21э ⎥ =
                         ⎣        Rэ + Rб                 h21э ⎦
      = 15,4 ⋅ 113,55 ⋅ 10 − 6 = 1,749 ⋅ 10 − 3 ≈ 1,7 ⋅ 10 − 3 А;
                         ⎡         ε ⋅ ΔT                Δh ⎤
      ΔI к min = S min ⋅ ⎢ΔI к0 +         + (I б + I к0 ) 21э ⎥ =
                         ⎣        Rэ + Rб                 h21э ⎦
      = 5,91 ⋅ 113,55 ⋅ 10 − 6 = 0,671 ⋅ 10 − 3 ≈ 0,67 ⋅ 10 − 3 А.
     На этом расчет статического режима работы транзистора закончен.
                                                11