Расчет усилительного каскада на биполярном транзисторе. Прохоров С.Г - 9 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КНИТУ-КАИ им. Туполева | Казань

Составители: 

Рубрика: 

9
()
Ом 4850
А102
В 2,312
3
1
2к
1
=
⋅
−
=
−
=
−
I
UE
R
R
.
Выбираем номинал из стандартного ряда, равный
R
1
=5,1 кОм. Рассчи-
таем теперь мощность рассеяния на выбранных нами сопротивлениях:
(
)
()
()
()
.Вт10856,33100104,18
;Вт1032,1394301018
;Вт1084,3105,1106,1
;Вт104,20101,5102
3
2
3
э
2
ээ
3
2
3
к
2
кк
33
2
3
1
2
11
33
2
3
1
2
11
−−
−−
−−
−−
⋅=⋅⋅=⋅=
⋅=⋅⋅=⋅=
⋅=⋅⋅⋅=⋅=
⋅=⋅⋅⋅=⋅=
RIP
RIP
RIP
RIP
Таким образом, в нашу схему для задания рабочей точки необходимо
поставить резисторы следующих номиналов:
R
1
– МЛТ – 0,125 Вт – 5,1 кОм; R
2
– МЛТ – 0,125 Вт – 1,5 кОм;
R
к
– МЛТ – 0,250 Вт – 430 Ом; R
э
– МЛТ – 0,125 Вт – 100 Ом.
Далее рассчитаем коэффициент температурной нестабильности. Пусть
начальная температура окружающей среды будет равна
Т
0
=20
о
С, интервал
изменения температуры
ΔТ=+40
о
С. Значение коэффициента передачи тока
транзистора схемы с общим эмиттером для начальной и конечной темпера-
туры находим по графику на рис. 7. Рассчитаем параметры
D и α:
.9804,0
150
50
1
α
;093,0006,0067,0020,0
15005100
430100
1500
100
5100
100
э21
э21
21
кэ
2
э
1
э
=
+
=
+
=
=++=
=
⋅
⋅
++=
⋅
⋅
++=
h
h
RR
RR
R
R
R
R
D
0
20 40 60 80 100
Т
о
С
100
80
60
50
30
40
70
90
h
21э
(β)
Рис. 7. Зависимость коэффициента усиления тока базы от температуры
Теперь можно определить коэффициент температурной нестабильно-
сти для схемы с ООС по току: 
            Eк − U R 2 (12 − 2,3) В
     R1 =             =              = 4850 Ом .
               I1        2 ⋅ 10 −3 А
      Выбираем номинал из стандартного ряда, равный R1=5,1 кОм. Рассчи-
таем теперь мощность рассеяния на выбранных нами сопротивлениях:
                       (        )              2
     P1 = I12 ⋅ R1 = 2 ⋅ 10 −3 ⋅ 5,1 ⋅ 103 = 20,4 ⋅ 10 −3 Вт;
     P1 = I12    ⋅ R = (1,6 ⋅ 10 ) ⋅ 1,5 ⋅ 10 = 3,84 ⋅ 10 Вт;
                       1
                                              −3 2          3             −3


     Pк = I к2   ⋅ R = (18 ⋅ 10 ) ⋅ 430 = 139,32 ⋅ 10 Вт;
                       к
                                              −3 2                       −3


     Pэ = I э2   ⋅ R = (18,4 ⋅ 10 ) ⋅ 100 = 33,856 ⋅ 10 Вт.
                       э
                                                −3 2                      −3


     Таким образом, в нашу схему для задания рабочей точки необходимо
поставить резисторы следующих номиналов:
     R1 – МЛТ – 0,125 Вт – 5,1 кОм; R2 – МЛТ – 0,125 Вт – 1,5 кОм;
     Rк – МЛТ – 0,250 Вт – 430 Ом; Rэ – МЛТ – 0,125 Вт – 100 Ом.
     Далее рассчитаем коэффициент температурной нестабильности. Пусть
начальная температура окружающей среды будет равна Т0=20оС, интервал
изменения температуры ΔТ=+40оС. Значение коэффициента передачи тока
транзистора схемы с общим эмиттером для начальной и конечной темпера-
туры находим по графику на рис. 7. Рассчитаем параметры D и α:
           R   R    R ⋅R     100     100    100 ⋅ 430
      D= э + э + э к =            +      +            =
           R1 R2 R1 ⋅ R2 5100 1500 5100 ⋅ 1500
     = 0,020 + 0,067 + 0,006 = 0,093;
           h21э     50
     α=           =       = 0,9804.
          h21э + 1 50 + 1
                           h 21 э (β )

                 100


                 90


                 80


                 70


                 60


                 50


                 40


                 30
                       0                 20            40           60         80   1 0 0 Т оС

        Рис. 7. Зависимость коэффициента усиления тока базы от температуры
      Теперь можно определить коэффициент температурной нестабильно-
сти для схемы с ООС по току:
                                                                9

Страницы