Составители:
Рубрика:
15
Переход от h-параметров схемы с общим эмиттером к h-параметрам
схемы с общей базой или общим коллектором можно осуществить по форму-
лам табл. 3.
Таблица 3
h-параметры схемы
с общим эмиттером
h-параметры схемы с общей
базой
h-параметры схемы с
общим коллектором
э11
h
ээ21э22
э11
б11
1 hhh
h
h
Δ++−
=
э1111к
hh =
э12
h
ээ21э12
э12э
б12
1 hhh
hh
h
Δ+++
−
Δ
=
э12к12
1 hh −=
э21
h
(
)
ээ21э12
ээ21
б21
1 hhh
hh
h
Δ++−
Δ
+
−
=
()
э21к21
1 hh +−=
э22
h
ээ21э12
э22
б22
1 hhh
h
h
Δ++−
=
э22к22
hh =
э21э12э22э11э
hhhhh
⋅
−
⋅
=
Δ
Если в справочнике не приведены h-параметры транзистора, а даны
только вольтамперные характеристики транзистора для схемы с общим эмит-
тером, то h-параметры определяются графическим путем с помощью задан-
ных вольтамперных характеристик.
Например, входное сопротивление транзистора h
11э
может быть опре-
делено по входной характеристике I
б
= f(U
БЭ
) при U
кэ
= const (рис. 10). Пусть
задан ток базы I
бА
, определяющий статический режим работы транзистора.
На входной характеристике находим
рабочую точку "А", соответствую-
щую этому току. Выбираем вблизи
рабочей точки "А" две вспомогатель-
ные точки приблизительно на одина-
ковом расстоянии и определяем при-
ращение тока базы ΔI
б
и напряжения
ΔU
бэ
, по которым находим диффе-
ренциальное сопротивление
á
áý
ý11
ѓў
ѓў
I
U
h =
, U
кэ
= const.
Параметры h
21э
и h
22э
определя-
ются из семейства выходных харак-
теристик I
к
= f(U
кэ
). Параметр h
21э
на-
ходится при заданном напряжении
коллектора U
кэ
= const, проходящем
через рабочую точку "А" (рис. 11).
0
0,1 0,3 0,5
0,2
0,4
0,6
0,8
I
б
(мА)
U
к
=0
U
к
=5В
U
бэ
(В)
Δ
U
бэ
Δ
I
б
А
Рис. 10. Графический способ нахожде-
ния параметра h
11э
Переход от h-параметров схемы с общим эмиттером к h-параметрам схемы с общей базой или общим коллектором можно осуществить по форму- лам табл. 3. Таблица 3 h-параметры схемы h-параметры схемы с общей h-параметры схемы с с общим эмиттером базой общим коллектором h11э h11э h11б = h11к = h11э 1 − h22 э + h21э + Δhэ Δhэ − h12 э h12 э h12б = h12к = 1 − h12 э 1 + h12 э + h21э + Δhэ − (h21э + Δhэ ) h21э h21б = h21к = −(1 + h21э ) 1 − h12 э + h21э + Δhэ h22 э h22 э h22б = h22к = h22 э 1 − h12 э + h21э + Δhэ Δhэ = h11э ⋅ h22 э − h12 э ⋅ h21э Если в справочнике не приведены h-параметры транзистора, а даны только вольтамперные характеристики транзистора для схемы с общим эмит- тером, то h-параметры определяются графическим путем с помощью задан- ных вольтамперных характеристик. Например, входное сопротивление транзистора h11э может быть опре- делено по входной характеристике Iб = f(UБЭ) при Uкэ = const (рис. 10). Пусть задан ток базы IбА, определяющий статический режим работы транзистора. На входной характеристике находим Iб (мА) рабочую точку "А", соответствую- Uк=0 Uк=5В щую этому току. Выбираем вблизи 0,8 рабочей точки "А" две вспомогатель- ные точки приблизительно на одина- 0,6 ковом расстоянии и определяем при- ращение тока базы ΔIб и напряжения ΔUбэ, по которым находим диффе- ΔIб 0,4 А ренциальное сопротивление ѓўU áý h11ý = , Uкэ = const. 0,2 ѓўI á Параметры h21э и h22э определя- ются из семейства выходных харак- 0 0,1 0,3 0,5 Uбэ (В) теристик Iк = f(Uкэ). Параметр h21э на- ходится при заданном напряжении Рис. 10. Графический способ ΔUбэ нахожде- коллектора Uкэ = const, проходящем ния параметра h11э через рабочую точку "А" (рис. 11). 15
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 13
- 14
- 15
- 16
- 17
- …
- следующая ›
- последняя »