Расчет усилительного каскада на биполярном транзисторе. Прохоров С.Г - 15 стр.

UptoLike

15
Переход от h-параметров схемы с общим эмиттером к h-параметрам
схемы с общей базой или общим коллектором можно осуществить по форму-
лам табл. 3.
Таблица 3
h-параметры схемы
с общим эмиттером
h-параметры схемы с общей
базой
h-параметры схемы с
общим коллектором
э11
h
ээ21э22
э11
б11
1 hhh
h
h
Δ++
=
э1111к
hh =
э12
h
ээ21э12
э12э
б12
1 hhh
hh
h
Δ+++
Δ
=
э12к12
1 hh =
э21
h
(
)
ээ21э12
ээ21
б21
1 hhh
hh
h
Δ++
Δ
+
=
()
э21к21
1 hh +=
э22
h
ээ21э12
э22
б22
1 hhh
h
h
Δ++
=
э22к22
hh =
э21э12э22э11э
hhhhh
=
Δ
Если в справочнике не приведены h-параметры транзистора, а даны
только вольтамперные характеристики транзистора для схемы с общим эмит-
тером, то h-параметры определяются графическим путем с помощью задан-
ных вольтамперных характеристик.
Например, входное сопротивление транзистора h
11э
может быть опре-
делено по входной характеристике I
б
= f(U
БЭ
) при U
кэ
= const (рис. 10). Пусть
задан ток базы I
бА
, определяющий статический режим работы транзистора.
На входной характеристике находим
рабочую точку "А", соответствую-
щую этому току. Выбираем вблизи
рабочей точки "А" две вспомогатель-
ные точки приблизительно на одина-
ковом расстоянии и определяем при-
ращение тока базы ΔI
б
и напряжения
ΔU
бэ
, по которым находим диффе-
ренциальное сопротивление
á
áý
ý11
ѓў
ѓў
I
U
h =
, U
кэ
= const.
Параметры h
21э
и h
22э
определя-
ются из семейства выходных харак-
теристик I
к
= f(U
кэ
). Параметр h
21э
на-
ходится при заданном напряжении
коллектора U
кэ
= const, проходящем
через рабочую точку "А" (рис. 11).
0
0,1 0,3 0,5
0,2
0,4
0,6
0,8
I
б
(мА)
U
к
=0
U
к
=5В
U
бэ
(В)
Δ
U
бэ
Δ
I
б
А
Рис. 10. Графический способ нахожде-
ния параметра h
11э
      Переход от h-параметров схемы с общим эмиттером к h-параметрам
схемы с общей базой или общим коллектором можно осуществить по форму-
лам табл. 3.
                                                            Таблица 3
 h-параметры схемы      h-параметры схемы с общей                h-параметры схемы с
 с общим эмиттером                   базой                       общим коллектором
                                           h11э
         h11э             h11б =                                          h11к = h11э
                                 1 − h22 э + h21э + Δhэ
                                       Δhэ − h12 э
         h12 э            h12б =                                     h12к = 1 − h12 э
                                 1 + h12 э + h21э + Δhэ
                                     − (h21э + Δhэ )
         h21э             h21б =                                   h21к = −(1 + h21э )
                                 1 − h12 э + h21э + Δhэ
                                           h22 э
         h22 э            h22б =                                          h22к = h22 э
                                 1 − h12 э + h21э + Δhэ
                           Δhэ = h11э ⋅ h22 э − h12 э ⋅ h21э

      Если в справочнике не приведены h-параметры транзистора, а даны
только вольтамперные характеристики транзистора для схемы с общим эмит-
тером, то h-параметры определяются графическим путем с помощью задан-
ных вольтамперных характеристик.
      Например, входное сопротивление транзистора h11э может быть опре-
делено по входной характеристике Iб = f(UБЭ) при Uкэ = const (рис. 10). Пусть
задан ток базы IбА, определяющий статический режим работы транзистора.
На входной характеристике находим
                                                 Iб (мА)
рабочую точку "А", соответствую-                         Uк=0    Uк=5В

щую этому току. Выбираем вблизи              0,8

рабочей точки "А" две вспомогатель-
ные точки приблизительно на одина-
                                             0,6
ковом расстоянии и определяем при-
ращение тока базы ΔIб и напряжения
ΔUбэ, по которым находим диффе- ΔIб 0,4                        А
ренциальное сопротивление
             ѓўU áý
      h11ý =        , Uкэ = const.           0,2
              ѓўI á
      Параметры h21э и h22э определя-
ются из семейства выходных харак-
                                                       0   0,1      0,3         0,5      Uбэ (В)
теристик Iк = f(Uкэ). Параметр h21э на-
ходится при заданном напряжении                Рис. 10. Графический способ
                                                                        ΔUбэ нахожде-
коллектора Uкэ = const, проходящем                       ния параметра h11э
через рабочую точку "А" (рис. 11).


                                          15