Расчет усилительного каскада на биполярном транзисторе. Прохоров С.Г - 16 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КНИТУ-КАИ им. Туполева | Казань

Составители: 

Рубрика: 

16
510
15
20 25
U
кэ
(В)
10
0
20
30
40
I
к
(мА)
I
б
=0,7мА
I
б
=0,6мА
I
б
=0,5мА
I
б
=0,4мА
I
б
=0,3мА
I
б
=0,2мА
I
б
=0,1мА
Δ
I
к
U
кэ
=const
A
Рис. 11. Графическое определение параметра h
21э
Приращение тока базы ΔI
б
следует брать вблизи заданного значения
тока базы I
бА
как ΔI
б
=I
б2
– I
б1
. Этому приращению ΔI
б
соответствует прира-
щение коллекторного тока ΔI
к
=I
к2
– I
к1
. Тогда параметр h
21э
находится как
á
ê
ý21
ѓў
ѓў
I
I
h =
, U
кэ
= const.
Параметр h
22э
определяется по наклону выходной характеристики. Из
семейства выходных характеристик выбирается та характеристика, на кото-
рой находится рабочая точка "А". На этой характеристике (т.е. при I
бА
= const)
вблизи точки "А" выбираются две вспомогательные точки приблизительно на
одинаковом расстоянии и определяется приращение коллекторного напряже-
ния ΔU
кэ
, вызывающее приращение коллекторного тока ΔI
к
(рис. 12). Тогда
параметр h
22э
будет равен
кэ
к
э22
U
I
h
Δ
Δ
= , I
б
= const.
510 2025
U
кэ
(В)
10
0
20
30
40
I
к
(мА)
I
б
=0,7мА
I
б
=0,6мА
I
б
=0,5мА
I
б
=0,4мА
I
б
=0,3мА
I
б
=0,2мА
I
б
=0,1мА
Δ
I
к
Δ
U
кэ
A
Рис. 12. Графический способ нахождения параметра h
22э 
                             Iк (мА)
                                                          Iб=0,7мА
                    40
                                                          Iб=0,6мА

                    30                                    Iб=0,5мА

                                                          Iб=0,4мА
                    20                                    Iб=0,3мА
             ΔIк                                 A
                                                          Iб=0,2мА
                    10
                                                          Iб=0,1мА


                         0         5   10            15      20      25 U (В)
                                                                         кэ
                                                       Uкэ=const

                   Рис. 11. Графическое определение параметра h21э

      Приращение тока базы ΔIб следует брать вблизи заданного значения
тока базы IбА как ΔIб =Iб2 – Iб1. Этому приращению ΔIб соответствует прира-
щение коллекторного тока ΔIк =Iк2 – Iк1. Тогда параметр h21э находится как
            ѓўI
      h21ý = ê , Uкэ = const.
            ѓўI á
      Параметр h22э определяется по наклону выходной характеристики. Из
семейства выходных характеристик выбирается та характеристика, на кото-
рой находится рабочая точка "А". На этой характеристике (т.е. при IбА= const)
вблизи точки "А" выбираются две вспомогательные точки приблизительно на
одинаковом расстоянии и определяется приращение коллекторного напряже-
ния ΔUкэ, вызывающее приращение коллекторного тока ΔIк (рис. 12). Тогда
параметр h22э будет равен
               ΔI к
      h22 э =       , Iб = const.
              ΔU кэ
                             Iк (мА)
                                                          Iб=0,7мА
                   40
                                                          Iб=0,6мА

                   30                                     Iб=0,5мА

                                                          Iб=0,4мА
                   20
                                                          Iб=0,3мА
                                                 A
             ΔIк
                                                          Iб=0,2мА
                   10
                                                          Iб=0,1мА


                         0         5   10                   20       25
                                                 ΔUкэ                     Uкэ (В)

               Рис. 12. Графический способ нахождения параметра h22э
                                            16

Страницы