Конструирование РЭС. Пудовкин А.П - 47 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

а) б)
Рис. 3.7. Плата:
a – без экранирующей плоскости; б – с экранирующей плоскостью
При оценке допустимых паразитных связей на ПП необходимо учитывать динамическую помехоустойчивость цифровых
микросхем или снижение коэффициента усиления аналоговых микросхем. Динамическая помехоустойчивость цифровых
микросхем бывает двух видов: ложное срабатывание помеха может привести к переключению микросхем, не
предусмотренному алгоритмом работы); сбой сигнала (помеха накладывается на информационный сигнал и препятствует
переключению микросхем
Рис. 3.8. Зависимость погонной индуктивности печатного
проводника от ширины
(толщина проводника 0,05 мм)
в соответствии с алгоритмом их работы). Сбой сигнала следует учитывать при максимальном быстродействии, при этом
обеспечивается условие отсутствия ложных срабатываний. При длительности информационного сигнала, большей 5Тздр.ср
(время задержки срабатывания), следует учитывать ложное срабатывание цифровой микросхемы, при этом обеспечивается
условие отсутствия сбоя сигнала.
Динамическая помехоустойчивость микросхем при ложном срабатывании характеризуется амплитудой импульса помехи и
длительностью помехи. Допустимая амплитуда импульса помех для некоторых серий микросхем приведена в табл. 3.11.
Допустимую паразитную емкость между проводниками входа и выхода вычисляют при снижении коэффициента усиления
на 10 %. Для аналоговых микросхем серии 140 допустимая паразитная емкость составляет 10 пФ, а для серии 740 – 25 пФ.
Допустимая индуктивность шин заземления в зависимости от протекающего тока приведена в табл. 3.12.
Допустимая длина параллельно расположенных соседних проводников с учетом одновременного действия емкостной и
индуктивной паразитных связей
(
)
допдопдопдопдоп mcmc
LLLLL
+
=
,
где L
сдоп
– допустимая длина параллельно расположенных соседних проводников при воздействии только емкостной
паразитной связи
CСL
c допдоп
=
,
где L
доп –
допустимая длина параллельно расположенных соседних проводников при воздействии только индуктивной
паразитной связи:
(
)
[
]
IKUUTL
mm
∆+=
0пуздр.срдоп
где U
пу
– помехоустойчивость микросхемы, приводимая в ТУ, В; U
0
– значение логического нуля, приводимое в ТУ, В; K
m
–
коэффициент запаса (от 0,5 до 1); ∆I – перепад тока в цепи питания при переключении микросхемы, А.

Страницы