Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 11 стр.

проводимости (I) равна нулю (электроны в зоне проводимости отсутствуют).
Так как на энергетических уровнях в запрещенной зоне электроны
располагаться не могут, распределение Ферми-Дирака там несправедливо. При
Т ≠ 0 К кривая вероятности имеет плавный вид, симметрична относительно
уровня Ферми. Уровень Ферми в собственном полупроводнике при Т=0 К
проходит почти посередине запрещенной зоны /5, 8/.
      Распределение Ферми-Дирака справедливо и для примесных
полупроводников. Уровень Ферми в полупроводниках n-типа от середины
смещается в сторону дна зоны проводимости и находится тем ближе к дну зоны
проводимости, чем выше концентрация донорной примеси. В полупроводнике
р-типа уровень Ферми смещается от середины запрещенной зоны в сторону
валентной зоны и находится тем ближе к валентной зоне, чем выше
концентрация акцепторной примеси. На положение уровня Ферми влияет также
температура полупроводника: в полупроводнике n-типа чем ниже температура,
тем выше лежит уровень Ферми. В полупроводнике р-типа чем ниже
температура, тем ниже лежит уровень Ферми (ближе к потолку валентной
зоны).




                                                                       33