Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 12 стр.

     2. Электронно-дырочный переход


      Электронно-дырочный переход (р-n - переход) – это контакт двух
проводников с различным типом проводимости . Изготовляется он обычно из
одного кристалла полупроводника, в котором формируются области с
повышенной концентрацией акцепторной примеси ( р - область) и донорной (n -
область). В зависимости от технологии изготовления переход может быть
резким или плавным. В резком переходе область изменения концентрации
примеси значительно меньше толщины области пространственного заряда,
который образуется за счет диффузии электронов и дырок, а в плавном
переходе - обратная ситуация.
      Однако и в резком, и в плавном переходах физические процессы,
приводящие к униполярной проводимости р-n перехода, одинаковы. Если
переход находится в равновесии (внешнее поле равно 0), то его состояние
определяется двумя конкурирующими процессами : диффузия основных
носителей - дырок из р - области в n - область и диффузия электронов в
обратном направлении. Легко сообразить, что процессы диффузии основных
носителей приводят к образованию вблизи границы раздела областей двойного
объемного слоя пространственного заряда, который называют p-n переходом,
как показано на рисунке 2.1.




                               Рисунок 2.1

Этот слой обеднен основными носителями заряда в обеих частях, поэтому
часто его называют запирающим. Диаграмма несимметричного р-n – перехода,
где концентрация донорной примеси в n - области (Nδ) меньше концентрации
акцепторной примеси в р - области (Nа) приведена на рисунке 2.2.




                         Рисунок 2.2

34