Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 14 стр.

     2.1 Токи в p-n переходе

     Итак, перемещение основных носителей заряда через р-n-переход в
смежные области происходит за счет диффузии против поля р-n-перехода. Этот
поток носителей является диффузионным током:

     I ДИФ = I p p + I nn ,                                               (2.1)

     где I p - ток, образованный дырками области р;
                 p


            I nn - ток, образованный электронами области n.
      Одновременно с перемещением основных носителей заряда через р-n -
переход начинается перемещение неосновных носителей в направлении поля р-
n-перехода, которое для них является ускоряющим. Поток неосновных
носителей является дрейфовым током (током проводимости).

     I ДР = I pn + I n p ,                                                (2.2)

     где I p - ток, образованные дырками области p;
              n


         I n - ток, образованные электронами области n.
             p


     В отсутствие внешнего поля устанавливается динамическое равновесие
между потоками основных и неосновных носителей заряда и токи,
диффузионный и дрейфовый, оказываются равными по абсолютному значению:

     I ДИФ = I ДР , или I 0 Д = I 0 ,                                     (2.3)

     где для условия равновесия обозначено I ДИФ = I ДР и I 0 Д = I 0 .
     Тогда с учетом формул (2.1) и (2.2) можно записать:

     I p p + I pn = I pn + I n p                                          (2.4)

      Но так как диффузионный и дрейфовый токи направлены в
противоположные стороны, то результирующий ток через р-n-переход будет
равен нулю.


     2.2 Прямое и обратное включение р-n-перехода

     Если источник напряжения подключить знаком плюс к области р-типа, а
знаком минус к области n-типа, то получим включение, которое называют
прямым. Противоположное включение называют обратным. При прямом


36