Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 16 стр.

UptoLike

Составители: 

38
U
KK
+=
ϕ
ϕ
2
. (2.8)
Это, в свою очередь, приводит к уменьшению числа основных носителей
заряда, способных преодолеть потенциальный барьер, т.е. к снижению
диффузионного тока. Изменение диффузионного тока происходит по
экспоненциальному закону:
)/(
0
)/(
0
kTqUkTqU
ДДИФ
eIeII
== (2.9)
Поскольку дрейфовый ток не зависит от высоты потенциального барьера,
он равен току
0
I , а результирующий ток через р-n-переход определится:
)1(
)/(
0
)/(
0
==
kTqUktqU
обр
eIeII (2.10)
Ток при обратном включении р-n-перехода называют обратным током.
При некотором значении обратного напряжения диффузионный ток станет
равным нулю. Для неосновных носителей заряда поле р-n-перехода является
ускоряющим, поэтому дырки области n из прилегающих к р-n-переходу слоев
дрейфуют в область р-типа, а электроны области р - в область п-типа. Через р-n-
переход протекает только дрейфовый ток. Он мал, поскольку мала
концентрация неосновных носителей заряда в обеих областях и высоко
сопротивление р-n-перехода. Так как концентрация неосновных носителей
заряда определяется тепловой генерацией, ток, образованный ими, называют
тепловым. Его значение при данной температуре определяется скоростью
тепловой генерации носителей заряда. Так как при обратном включении р-n-
перехода увеличивается потенциальный барьер, то ширина p-n-перехода также
увеличивается. Это вызывает повышение сопротивления запирающего слоя.
Прямое и обратное включение р-n-перехода иногда называют прямым и
обратным смещением.
2.3 Вольт-амперная характеристика р-n-перехода
Зависимость тока через р-n-переход от приложенного к нему напряжения
I=f(U) называют вольт-амперной характеристикой р-n-перехода. На
основании выражений (2.7) и (2.10) она описывается уравнением:
)1(
)/(
0
=
± kTqU
eII (2.11)
Если р-n-переход включен в прямом направлении, напряжение U берут со
знаком плюс, а если в обратномсо знаком минус. При комнатной температуре
      ∆ϕ K 2 = ∆ϕ K +U .                                                  (2.8)

      Это, в свою очередь, приводит к уменьшению числа основных носителей
заряда, способных преодолеть потенциальный барьер, т.е. к снижению
диффузионного тока. Изменение диффузионного тока происходит по
экспоненциальному закону:

      I ДИФ = I 0 Д e − qU /( kT ) = I 0 e − qU /( kT )                  (2.9)

      Поскольку дрейфовый ток не зависит от высоты потенциального барьера,
он равен току I 0 , а результирующий ток через р-n-переход определится:

      I обр = I 0 e − qU /( kt ) = I 0 (e − qU /( kT ) − 1)              (2.10)

      Ток при обратном включении р-n-перехода называют обратным током.
При некотором значении обратного напряжения диффузионный ток станет
равным нулю. Для неосновных носителей заряда поле р-n-перехода является
ускоряющим, поэтому дырки области n из прилегающих к р-n-переходу слоев
дрейфуют в область р-типа, а электроны области р - в область п-типа. Через р-n-
переход протекает только дрейфовый ток. Он мал, поскольку мала
концентрация неосновных носителей заряда в обеих областях и высоко
сопротивление р-n-перехода. Так как концентрация неосновных носителей
заряда определяется тепловой генерацией, ток, образованный ими, называют
тепловым. Его значение при данной температуре определяется скоростью
тепловой генерации носителей заряда. Так как при обратном включении р-n-
перехода увеличивается потенциальный барьер, то ширина p-n-перехода также
увеличивается. Это вызывает повышение сопротивления запирающего слоя.
Прямое и обратное включение р-n-перехода иногда называют прямым и
обратным смещением.


     2.3 Вольт-амперная характеристика р-n-перехода

      Зависимость тока через р-n-переход от приложенного к нему напряжения
I=f(U) называют вольт-амперной характеристикой р-n-перехода. На
основании выражений (2.7) и (2.10) она описывается уравнением:

      I = I 0 (e ± qU /( kT ) − 1)                                       (2.11)

     Если р-n-переход включен в прямом направлении, напряжение U берут со
знаком плюс, а если в обратном – со знаком минус. При комнатной температуре

38