Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 17 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ОГУ | Оренбург

Составители: 

Рубрика: 

39
тепловой потенциал равен 0,025 ЭВ (ϕ
т
= K⋅Т/q). Cогласно уравнению (2.11),
при прямом напряжении прямой ток растет с повышением напряжения
экспоненциально. При обратном напряжении обратный ток ранен тепловому
току, который от напряжения не зависит, поэтому рост тока при значительном
повышении напряжения (до определенного предела) почти прекращается,
наступает как бы его насыщение. Отсюда тепловой ток
0
I называют также
током насыщения.
Вольт-амперная характеристика р-n-перехода показана на рисунке 2.4.
Обратный ток, обычно, на несколько порядков меньше прямого. Поэтому р-
n-переход обладает вентильным свойством, т.е. односторонней проводимостью.
При повышении температуры прямой ток через р-n-переход увеличивается.
Рисунок 2.4
Дадим определение некоторым понятиям, используемым при описании
полупроводниковых приборов. При прямом смещении потенциальный барьер
понижается и через него перемещаются основные носители заряда в смежную
область, где они являются неосновными. Это явление называется инжекцией
(впрыскивание). Область, из которой инжектируются носители заряда,
называется эмиттером, а область, в которую они инжектируются и где они
являются неосновными – базой.
Под действием поля р-n-перехода неосновные для данной области
носители заряда перемещаются через р-n-переход в соседнюю область. Процесс
выведения неосновных носителей заряда через переход под воздействием поля
этого перехода при подключении р-n-перехода к источнику внешнего
напряжения называется экстракцией (извлечением).
Резкое возрастание обратного тока, наступающее при незначительном
увеличении обратного напряжение сверх определенного значения, называют
пробоем перехода. Природа пробоя может быть различной он может быть
электрическим (участок АВ на рисунке 2.4), при котором р-n-переход не
разрушается и сохраняет работоспособность, и тепловым (участок ВС на 
тепловой потенциал равен 0,025 ЭВ (ϕт = K⋅Т/q). Cогласно уравнению (2.11),
при прямом напряжении прямой ток растет с повышением напряжения
экспоненциально. При обратном напряжении обратный ток ранен тепловому
току, который от напряжения не зависит, поэтому рост тока при значительном
повышении напряжения (до определенного предела) почти прекращается,
наступает как бы его насыщение. Отсюда тепловой ток I 0 называют также
током насыщения.
      Вольт-амперная характеристика р-n-перехода показана на рисунке 2.4.
Обратный ток, обычно, на несколько порядков меньше прямого. Поэтому р-
n-переход обладает вентильным свойством, т.е. односторонней проводимостью.
При повышении температуры прямой ток через р-n-переход увеличивается.




                               Рисунок 2.4

     Дадим определение некоторым понятиям, используемым при описании
полупроводниковых приборов. При прямом смещении потенциальный барьер
понижается и через него перемещаются основные носители заряда в смежную
область, где они являются неосновными. Это явление называется инжекцией
(впрыскивание). Область, из которой инжектируются носители заряда,
называется эмиттером, а область, в которую они инжектируются и где они
являются неосновными – базой.
     Под действием поля р-n-перехода неосновные для данной области
носители заряда перемещаются через р-n-переход в соседнюю область. Процесс
выведения неосновных носителей заряда через переход под воздействием поля
этого перехода при подключении р-n-перехода к источнику внешнего
напряжения называется экстракцией (извлечением).
     Резкое возрастание обратного тока, наступающее при незначительном
увеличении обратного напряжение сверх определенного значения, называют
пробоем перехода. Природа пробоя может быть различной он может быть
электрическим (участок АВ на рисунке 2.4), при котором р-n-переход не
разрушается и сохраняет работоспособность, и тепловым (участок ВС на

                                                                        39

Страницы