Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 58 стр.

       Если фотодиод не освещен, он ведет себя как обычный диод, через него
проходит обратный ток, образованный неосновными носителями заряда
областей р- и n- (в данном случае его можно назвать темновым). Если на
фотодиод падает свет, то вследствие внутреннего фотоэффекта в обеих
областях фотодиода генерируются пары носителей заряда. Неосновные
носители заряда, для которых поле р-n-перехода является ускоряющим, могут
легко преодолеть p-n-переход и попасть в смежную область (дырки n-области -
в область р, а электроны р-области - в область n) и тем самым внести свой
вклад в общий ток неосновных носителей заряда фотодиода. Ток неосновных
носителей, вызванный освещением, не зависит от напряжения, приложенного к
р-n-переходу. Он пропорционален световому потоку и называется световым
током или фототоком. При этом следует отметить, что одновременно с
процессом генерации пар носителей заряда происходит и их рекомбинация.
Поэтому достигнут р-n-перехода и перейдут через него только те носители,
диффузионная длина которых больше ширины р- или n- области. Кроме того,
интенсивность света уменьшается по глубине облучаемого тела, поэтому
генерация пар носителей происходит в основном на внешней облучаемой
поверхности. Если ширина облучаемой области меньше диффузионной длины
дырок, что соответствует реальным структурам фотодиодов, фототок в
фотодиоде будет обусловлен движением дырок области n.
       На рисунке 3.37 представлена вольтамперная характеристика фотодиода
Iф = f(U) для различных значений светового потока Ф.




     Рисунок 3.37

     Характеристика при Ф = 0 представляет собой обратную ветвь вольт-
амперной характеристики диода, т.е. характеристику темнового потока.
Отношение фототока Iф к вызвавшему его световому потоку Ф называют
фоточувствительностью:

     SФ=IФ/Ф.                                                        (3.25)


80