Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 59 стр.

      Чувствительность кремниевых фотодиодов равна 3 мА/лм, германиевых -
20 мА/лм, сернисто-серебряных - 10-15 мА/лм. Фотодиоды обладают
значительной инерционностью из-за конечного времени диффузии носителей
заряда к p-n-переходу и прохождения их через область объемного заряда в p-n-
переходе. Кроме того, на инерционность влияет также время зарядки емкости
p-n-перехода. Частотные характеристики фотодиодов зависят от материалов, из
которых они выполнены, а также от толщины и площади p-n-перехода. Менее
инерционны германиевые и кремниевые диоды. Существенным недостатком
фотодиодов является зависимость их параметров от температуры.


     3.4.3 Фототранзистор

      Фототранзистор - это полупроводниковый фотоэлектрический прибор с
двумя р-n-переходами.
      Устройство и принцип действия фототранзистора такие же, как и
биполярного транзистора. Часто фототранзистор имеет два вывода от эмиттера
и коллектора. Внешняя часть базы является фоточувствительной поверхностью,
поэтому эмиттер обычно имеет небольшие размеры. В корпусе имеется окно
для пропускания света. Одна из структур фототранзистора и схема его
включения показаны на рисунках 3.38 а, б соответственно.




     Рисунок 3.38

      При отсутствии освещения в цепи фототранзистора проходит небольшой
темновой ток. При освещении светочувствительной поверхности (на рисунке
3.38 а базы n-типа) в ней генерируются пары носителей заряда. Неосновные
носители заряда базы (дырки) через коллекторный переход переходят в
коллектор, и обратный ток перехода увеличивается на ток, образованный
дырками базы (часть фототока, аналогичная фототоку диода). Однако в
фототранзисторе в отличие от фотодиода имеется вторая составляющая
фототока: уход дырок из базы приводит к образованию в ней
нескомпенсированного отрицательного объемного заряда и к снижению

                                                                         81