ВУЗ:
Составители:
27
- основная (оперативная) память ;
- дополнительная память (внешняя) ;
- вторичная память (также внешняя) ;
- массовая память (внешняя, как правило, на доступных сменных носителях).
2. По организации записи :
- постоянное запоминающее устройство - ПЗУ (ROM - read-only memory) - однократ-
но программируемое изготовителем устройство только для чтения;
- перепрограммируемое запоминающее устройство - ППЗУ (PROM) -возможно пере-
программирование, которое, однако, требует специальной процедуры, кол-во циклов за-
писи намного меньше циклов чтения;
- оперативное запоминающее устройство - ОЗУ (RAM - random access memory) - ко-
личество циклов чтения может совпадать с количеством циклов записи.
Строго говоря, приведенные отечественные и импортные сокращения для двух основ-
ных типов памяти не вполне точно отражают приведенное деление памяти по организации
записи, но являются исторически сложившимися и общепринятыми.
3. По организации доступа :
- с последовательным доступом (t
дост
меняется для различных адресов или участков
памяти - чем старше адрес, тем больше время доступа);
- с прямым доступом (t
дост
= const для различных адресов или участков памяти).
4. По организации поиска ячеек в памяти:
- «М-поиск» - поиск по месту (например, в адресном ОЗУ);
- «В-поиск» - поиск по времени (например, при работе с накопителем на магнитной
ленте).
5. По физическому эффекту (технологии), используемому для запоминания
и хранения информации :
- полупроводниковая память;
- магнитная;
- магнитооптическая;
- оптическая;
- электростатическая и др.
6. ОЗУ по способу хранения делится на :
- статическое (на триггерах);
- динамическое (на конденсаторах).
7. По способу адресации:
- адресная память;
- стековая память;
- основная (оперативная) память ; - дополнительная память (внешняя) ; - вторичная память (также внешняя) ; - массовая память (внешняя, как правило, на доступных сменных носителях). 2. По организации записи : - постоянное запоминающее устройство - ПЗУ (ROM - read-only memory) - однократ- но программируемое изготовителем устройство только для чтения; - перепрограммируемое запоминающее устройство - ППЗУ (PROM) -возможно пере- программирование, которое, однако, требует специальной процедуры, кол-во циклов за- писи намного меньше циклов чтения; - оперативное запоминающее устройство - ОЗУ (RAM - random access memory) - ко- личество циклов чтения может совпадать с количеством циклов записи. Строго говоря, приведенные отечественные и импортные сокращения для двух основ- ных типов памяти не вполне точно отражают приведенное деление памяти по организации записи, но являются исторически сложившимися и общепринятыми. 3. По организации доступа : - с последовательным доступом (tдост меняется для различных адресов или участков памяти - чем старше адрес, тем больше время доступа); - с прямым доступом (tдост = const для различных адресов или участков памяти). 4. По организации поиска ячеек в памяти: - «М-поиск» - поиск по месту (например, в адресном ОЗУ); - «В-поиск» - поиск по времени (например, при работе с накопителем на магнитной ленте). 5. По физическому эффекту (технологии), используемому для запоминания и хранения информации : - полупроводниковая память; - магнитная; - магнитооптическая; - оптическая; - электростатическая и др. 6. ОЗУ по способу хранения делится на : - статическое (на триггерах); - динамическое (на конденсаторах). 7. По способу адресации: - адресная память; - стековая память; 27
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 25
- 26
- 27
- 28
- 29
- …
- следующая ›
- последняя »