ВУЗ:
Составители:
29
уровнях располагается внешняя память - внешние устройства, взаимодействующие с
ядром по каналам ввода-вывода. В качестве вторичной памяти можно указать НЖМД
(HDD) - накопители на жестких магнитных дисках - пожалуй, наиболее быстродействую-
щую внешнюю память, при этом со значительным объемом. К массовой памяти можно
отнести разнообразные сменные носители информации, различающиеся как по объему,
так и по времени доступа (накопители на гибких магнитных дисках, магнитной ленте, CD-
ROM - диски и т.д.), которые объединяет, пожалуй, относительно низкая удельная стои-
мость.
Легко заметить, что при движении по иерархии сверху вниз происходит снижение
удельной стоимости хранения информации, рост объемов ЗУ и -падение производитель-
ности.
Подобное построение систем памяти в ВС объясняется, с одной стороны, различной
функциональной направленностью ЗУ (оперативное хранение небольших объемов ин-
формации в ОЗУ, либо - долговременное хранение больших объемов данных на дисковой
памяти), а с другой - попыткой достичь более-менее приемлемого соотношения между це-
ной и производительностью (а также функциональностью) вычислительной системы, что
являлось актуальным как на заре вычислительной техники, так и сейчас.
3.2. Организация адресной памяти
Отличительным признаком адресной памяти является организация доступа к ячейкам
памяти по адресам, то есть - по номерам, которые поступают на вход ЗУ в закодирован-
ном виде, затем - декодируются тем или иным образом для выбора определенного запо-
минающего элемента (ЗЭ) или их группы. Подобная схема соответствует в большей сте-
пени устройствам с М-поиском, для которых время доступа является постоянной величи-
ной, не зависящей от адреса.
Адресная память с М-поиском (под которой чаще всего подразумевают полупровод-
никовую память) на самом общем уровне включает в себя массив запоминающих элемен-
тов (триггеров, регистров, управляемых конденсаторов и т.д.), адресные дешифраторы для
декодирования адреса ячейки в управляющие импульсы по шинам управления, усилители
адресных и разрядных линий, а также все остальные необходимые логические схемы для
осуществления выборки, считывания и записи и управления ЗУ. Различные варианты ор-
ганизации памяти с М-поиском связаны, прежде всего, с различными способами по-
строения массива ЗЭ и декодирования адреса. С этой точки зрения выделяют память типа
1D, 2D, 2,5D, 3D, 4D - по количеству измерений массива ЗЭ. В памяти типа 1D массив
имеет 1 измерение, то есть адресуется каждый бит памяти. При достаточно большом объ-
еме ЗУ это приводит к сложным схемам дешифраторов и огромному количеству служеб-
уровнях располагается внешняя память - внешние устройства, взаимодействующие с ядром по каналам ввода-вывода. В качестве вторичной памяти можно указать НЖМД (HDD) - накопители на жестких магнитных дисках - пожалуй, наиболее быстродействую- щую внешнюю память, при этом со значительным объемом. К массовой памяти можно отнести разнообразные сменные носители информации, различающиеся как по объему, так и по времени доступа (накопители на гибких магнитных дисках, магнитной ленте, CD- ROM - диски и т.д.), которые объединяет, пожалуй, относительно низкая удельная стои- мость. Легко заметить, что при движении по иерархии сверху вниз происходит снижение удельной стоимости хранения информации, рост объемов ЗУ и -падение производитель- ности. Подобное построение систем памяти в ВС объясняется, с одной стороны, различной функциональной направленностью ЗУ (оперативное хранение небольших объемов ин- формации в ОЗУ, либо - долговременное хранение больших объемов данных на дисковой памяти), а с другой - попыткой достичь более-менее приемлемого соотношения между це- ной и производительностью (а также функциональностью) вычислительной системы, что являлось актуальным как на заре вычислительной техники, так и сейчас. 3.2. Организация адресной памяти Отличительным признаком адресной памяти является организация доступа к ячейкам памяти по адресам, то есть - по номерам, которые поступают на вход ЗУ в закодирован- ном виде, затем - декодируются тем или иным образом для выбора определенного запо- минающего элемента (ЗЭ) или их группы. Подобная схема соответствует в большей сте- пени устройствам с М-поиском, для которых время доступа является постоянной величи- ной, не зависящей от адреса. Адресная память с М-поиском (под которой чаще всего подразумевают полупровод- никовую память) на самом общем уровне включает в себя массив запоминающих элемен- тов (триггеров, регистров, управляемых конденсаторов и т.д.), адресные дешифраторы для декодирования адреса ячейки в управляющие импульсы по шинам управления, усилители адресных и разрядных линий, а также все остальные необходимые логические схемы для осуществления выборки, считывания и записи и управления ЗУ. Различные варианты ор- ганизации памяти с М-поиском связаны, прежде всего, с различными способами по- строения массива ЗЭ и декодирования адреса. С этой точки зрения выделяют память типа 1D, 2D, 2,5D, 3D, 4D - по количеству измерений массива ЗЭ. В памяти типа 1D массив имеет 1 измерение, то есть адресуется каждый бит памяти. При достаточно большом объ- еме ЗУ это приводит к сложным схемам дешифраторов и огромному количеству служеб- 29
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 27
- 28
- 29
- 30
- 31
- …
- следующая ›
- последняя »