Вычислительные машины и системы. Ремонтов А.П - 30 стр.

ных линий, трассировка которых внутри кристалла вызывает проблемы, а площадь,
занимаемая ими, сопоставима с площадью массива самих ЗЭ. В 2D-памяти (рис. 3.2) ад-
ресуются не отдельные биты, а слова, что улучшает общую картину.


                                          Рис. 3.2
   Для большей экономии кристалла необходимо использовать слова еще большей раз-
рядности, что входит в противоречие с разрядностью шин данных ВС, и создает допол-
нительные неудобства. Для их преодоления используют организацию типа 2,5D (рис.




3.3), при которой слова системной разрядности (16, 32, 64 и т.д.) объединяются в груп-
пы, адрес ячейки при декодировании в ЗУ делится на 2 части, большая из них использу-
ется для выбора группы, а меньшая - для выбора слова внутри группы.
   При      3D организации   (рис. 3.4) массив ЗЭ    имеет два измерения, то есть выбор
ячейки (слова) осуществляется по двум координатам, при этом адрес ячейки делится на
две равные части, каждая из которых используется для выбора одной из линий по од-
ной из двух координат. В результате и количество линий, и сложность адресных дешиф-
раторов
   уменьшается. Дальнейшее развитие такого подхода приводит к памяти с организацией
4D и т.д.




                                    30