Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов. Рогов В.Н - 28 стр.

UptoLike

Составители: 

27
б
)
Открыть
файл
со
схемой
,
изображенной
на
рис
. 2.4.
Включить
схему
.
Зарисовать
осциллограмму
полученной
характеристики
.
в
)
По
полученной
характеристике
найти
сопротивление
r
Э
при
изменении
базового
тока
с
10
мА
до
30
мА
.
г
)
Найти
сопротивление
r
Э
по
формуле
r
Э
= 25
мВ
/I
Э
,
используя
значение
I
Э
при
I
В
= 20
м
A.
Контрольные вопросы
1.
От
чего
зависит
ток
коллектора
транзистора
?
2.
Зависит
ли
коэффициент
β
DС
от
тока
коллектора
?
Если
да
,
то
в
какой
степени
?
Обосновать
ответ
.
3.
Что
такое
токи
утечки
транзистора
в
режиме
отсечки
?
4.
Что
можно
сказать
о
зависимости
тока
коллектора
от
тока
базы
и
напряжения
коллектор
-
эмиттер
по
выходным
характеристикам
?
5.
Что
можно
сказать
по
входной
характеристике
о
различии
между
базо
-
эмиттерным
переходом
и
диодом
,
смещенном
в
прямом
направлении
?
6.
Одинаково
ли
значение
r
ВХ
в
любой
точке
входной
характеристики
?
7.
Одинаково
ли
значение
r
Э
при
любом
значении
тока
эмиттера
?
8.
Как
отличается
практическое
значение
сопротивления
r
Э
от
вычислен
-
ного
по
формуле
?