ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
29
Управляющее
напряжение
пода
-
ется
между
затвором
и
истоком
.
Управляющие
свойства
транзистора
объясняются
тем
,
что
при
изменении
напряжения
U
зи
изменяется
ширина
его
p-n-
переходов
,
представляю
-
щие
собой
участки
полупроводника
,
обедненные
носителями
заряда
.
Так
как
p-
слой
имеет
большую
концен
-
трацию
примеси
,
чем
n-
слой
,
измене
-
ние
ширины
p-n-
переходов
происходит
в
основном
за
счет
более
высокоомного
n-
слоя
(
эффект
модуля
-
ции
базы
).
Тем
самым
изменяются
се
-
чение
токопроводящего
канала
и
его
проводимость
,
то
есть
выходной
ток
I
c
прибора
.
Вольтамперные
характеристики
полевых
транзисторов
с
p-n-
переходом
–
стоковые
отражают
зависимость
тока
стока
от
напряжения
сток
–
исток
при
фиксированном
напряжении
затвор
–
исток
.
В
области
малых
напряжений
(
участок
0 –
а
,
рисунок
3.3)
влияние
напряжения
U
си
на
проводимость
канала
незначительно
,
в
связи
с
чем
здесь
практически
линейная
зависимость
.
По
мере
увеличения
напряжения
(
участок
а
–
б
на
рис
. 3.3)
сужение
токопроводящего
канала
оказывает
все
большее
влияние
на
его
проводимость
,
что
приводит
к
уменьшению
крутизны
нараста
-
ния
тока
.
При
подходе
к
границе
(
точка
б
)
сечение
токопроводящего
канала
уменьшается
до
минимума
.
Дальнейшее
увеличение
напряжения
на
стоке
не
должно
приводить
к
увеличению
тока
через
прибор
.
Наличие
увеличения
тока
объясняется
тем
,
что
у
реальных
приборов
существуют
утечки
.
Рис. 3.3. Семейство стоковых характеристик полевого транзистора с p-n-переходом
Рис. 3.2. Полярность напряжений,
приложенных к полевому транзистору
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 28
- 29
- 30
- 31
- 32
- …
- следующая ›
- последняя »
