ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
31
Ug,
при
котором
ток
Id
имеет
близкое
к
нулю
значение
,
называется
напряжением
отсечки
.
Рис. 3.5. Схема для исследования ВАХ полевого транзистора с управляющим
p-n-переходом
Располагая
характеристиками
Id=f(Ud),
можно
определить
крутизну
S=dId/dUg,
являющейся
одной
из
важнейших
характеристик
полевого
транзи
-
стора
как
усилительного
прибора
.
Другой
тип
полевых
транзисторов
—
транзисторы
с
приповерхностным
каналом
и
структурой
металл
-
диэлектрик
-
полупроводник
(
МДП
-
транзисторы
).
Рис. 3.6. Условные обозначения МДП-транзисторов со встроенным каналом
n и p-типа (а, б); с индуцированным каналом (в)
В
частном
случае
,
если
диэлектриком
является
окисел
(
двуокись
крем
-
ния
),
используется
название
МОП-транзисторы
.
МДП
-
транзисторы
бывают
двух
типов
:
транзисторы
со
встроенным
и
с
индуцированным
каналами
(
в
последнем
случае
канал
наводится
под
дейст
-
вием
напряжения
,
приложенного
к
управляющим
электродам
).
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 30
- 31
- 32
- 33
- 34
- …
- следующая ›
- последняя »
