Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов. Рогов В.Н - 33 стр.

UptoLike

Составители: 

32
Рис. 3.7. Стоковые характеристики МДП-транзистора
МДП
-
транзисторы
в
общем
случае
представляют
собой
приборы
с
четырьмя
выводами
.
Четвертый
вывод
,
подложка
,
выполняет
вспомогатель
-
ную
функцию
.
Стоковые
характеристики
полевого
транзистора
со
встроенным
каналом
n-
типа
показаны
на
рисунке
3.7.
Стоко
-
затворные
характеристики
МДП
-
транзистора
показаны
на
рис
. 3.8.
Рис. 3.8. Стоко-затворная характеристика МДП-транзистора
Транзисторы
со
встроенным
каналом
могут
работать
как
в
режиме
обед
-
нения
канала
носителями
заряда
,
так
и
в
режиме
обогащения
.
Транзисторы
с
индуцированным
каналом
можно
использовать
только
в
режиме
обогащения
.
В
отличие
от
транзисторов
с
управляющим
p-n-
переходом
металлический
затвор
МДП
-
транзисторов
изолирован
от
полупроводника
слоем
диэлектрика