ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
30
Стоко
-
затворная
характе
-
ристика
полевого
транзистора
показывает
зависимость
тока
стока
от
напряжения
затвор
-
исток
при
фиксированном
напряжении
сток
-
исток
.
Параметры
моделей
полевых
транзисторов
задают
-
ся
с
помощью
диалогового
ок
-
на
и
перечислены
ниже
:
1)
Напряжение
отсечки
(VTO) —
напряжение
между
затвором
и
истоком
полевого
транзистора
с
p-n-
переходом
или
с
изолированным
затво
-
ром
,
работающих
в
режиме
обеднения
,
при
котором
ток
стока
достигает
заданного
низ
-
кого
напряжения
.
Для
транзи
-
сторов
с
изолированным
затвором
,
работающих
в
режиме
обогащения
,
этот
параметр
называется
пороговым напряжением
;
2)
Коэффициент
пропорциональности
– KP.
3)
Параметр
модуляции
длины
канала
, 1/
В
– LAMBDA.
4)
Объемное
сопротивление
области
стока
,
Ом
– RD.
5)
Объемное
сопротивление
области
истока
,
Ом
– RS.
6)
Ток
насыщения
p-n-
перехода
, –
только
для
полевых
транзисторов
с
p-n-
переходом
– IS.
7)
Емкость
между
затвором
и
стоком
при
нулевом
смещении
,
Ф
– CGD.
8)
Емкость
между
затвором
и
истоком
при
нулевом
смещении
,
Ф
– CGS.
9)
Контактная
разность
потенциалов
p-n-
перехода
,
В
–
только
для
полевых
транзисторов
с
p-n-
переходом
– PB.
По
аналогии
с
биполярными
транзисторами
различают
три
схемы
вклю
-
чения
полевых
транзисторов
:
с
общим
затвором
(
ОЗ
),
с
общим
истоком
(
ОИ
)
и
с
общим
стоком
(
ОС
).
Для
исследования
семейства
выходных
ВАХ
полевого
транзистора
в
схе
-
ме
с
ОИ
может
быть
использована
схема
на
рисунке
3.5.
Она
содержит
источ
-
ник
напряжения
затвор
-
исток
Ug,
исследуемый
транзистор
VT,
источник
пи
-
тания
Ucc,
вольтметр
Ud
для
контроля
напряжения
сток
-
исток
и
амперметр
Id
для
измерения
тока
стока
.
Выходная
ВАХ
снимается
при
фиксированных
значе
-
ниях
Ug
путем
изменения
напряжения
Ud.
и
измерения
тока
стока
Id,
Напряжение
Рис. 3.4. Стоко-затворная характеристика
полевого транзистора с p-n-переходом
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 29
- 30
- 31
- 32
- 33
- …
- следующая ›
- последняя »
