ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
33
и
имеет
дополнительный
вывод
от
кристалла
,
называемый
подложкой
,
на
ко
-
торой
выполнен
прибор
.
Управляющее
напряжение
подается
между
затвором
и
подложкой
.
Под
влиянием
образующегося
электрического
поля
у
поверхности
полупроводника
создается
р
-
канал
за
счет
отталкивания
электронов
от
поверхности
вглубь
полупроводника
в
транзисторе
с
индуцированным
каналом
.
В
транзисторе
со
встроенным
каналом
происходит
расширение
или
сужение
имеющегося
кана
-
ла
.
Под
действием
управляющего
напряжения
изменяется
ширина
канала
и
,
соответственно
,
сопротивление
и
ток
транзистора
.
Напряжение
на
затворе
,
при
котором
индуцируется
канал
,
называется
пороговым напряжением
.
При
практическом
определении
этого
напряжения
обычно
задается
определенный
ток
стока
,
при
котором
потенциал
затвора
дос
-
тигает
порогового
напряжения
(0,2-1
В
для
транзисторов
с
n-
каналом
и
2– 4
В
с
р
-
каналом
).
По
мере
удаления
от
поверхности
полупроводника
концентрация
индуци
-
рованных
дырок
уменьшается
.
На
расстоянии
,
приблизительно
равном
поло
-
вине
толщины
канала
,
электропроводность
становится
собственной
(
беспри
-
месной
).
Далее
располагается
участок
,
обедненный
основными
носителями
за
-
ряда
,
в
котором
существует
область
положительно
заряженных
ионов
донор
-
ной
примеси
.
Наличие
обедненного
участка
обусловлено
также
отталкиванием
основных
носителей
заряда
от
поверхности
вглубь
полупроводника
.
Таким
образом
,
сток
,
исток
и
канал
,
представляющие
собой
рабочие
области
МДП
-
транзистора
,
изолированы
от
подложки
p-n-
переходом
.
Очевидно
,
что
ширина
p-n-
перехода
и
ширина
канала
изменяются
при
по
-
даче
на
подложку
дополнительного
напряжения
,
т
.
е
.
током
истока
можно
управлять
не
только
путем
изменения
напряжения
на
затворе
,
но
и
за
счет
из
-
менения
напряжения
на
подложке
.
В
этом
случае
управление
u1052
МДП
-
транзистором
аналогично
поле
вому
транзистору
с
управляющим
p-n-
переходом
.
Толщина
инверсного
слоя
значительно
меньше
толщины
обедненного
слоя
.
Если
последний
составляет
сотни
или
тысячи
нанометров
,
то
толщина
индуцированного
I
канала
составляет
всего
1–5
нм
.
Другими
словами
,
дырки
индуцированного
канала
«
прижаты
»
к
поверхности
полупроводника
,
поэтому
структура
и
свойства
границы
полупроводник
-
диэлектрик
играют
в
МДП
-
транзисторах
очень
важную
роль
.
Дырки
,
образующие
канал
,
поступают
в
него
не
только
из
подложки
n-
типа
,
где
их
мало
и
генерируются
они
сравнительно
медленно
,
но
также
из
слоев
р
-
типа
истока
и
стока
,
где
их
концентрация
практически
не
ограничена
,
а
напряженность
поля
вблизи
этих
электродов
достаточно
велика
.
В
транзисторах
со
встроенным
каналом
ток
в
цепи
стока
будет
протекать
и
при
нулевом
напряжении
на
затворе
.
Для
его
прекращения
необходимо
к
затвору
приложить
положительное
напряжение
(
при
структуре
с
каналом
р
-
типа
),
равное
или
большее
напряжения
отсечки
.
При
этом
дырки
из
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 32
- 33
- 34
- 35
- 36
- …
- следующая ›
- последняя »
