Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов. Рогов В.Н - 36 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

35
Их
вид
приведен
на
рисунке
3.9.
В
библиотеке
компонентов
программы
EWB
МДП
-
транзисторы
со
встро
-
енным
каналом
представлены
двумя
образцами
: n-
канальным
и
p-
канальным
.
Каждый
тип
МДП
-
транзистора
представлен
в
двух
вариантах
:
с
отдельным
выводом
подложки
и
общим
выводом
подложки
и
истока
.
Параметры
МДП
-
транзисторов
:
1)
Поверхностный
потенциал
,
В
– PHI.
2)
Коэффициент
влияния
потенциала
подложки
на
пороговое
напряжение
– GAMMA.
3)
Емкость
между
затвором
и
подложкой
,
Ф
– CGB.
4)
Емкость
донной
части
перехода
сток
-
подложка
при
нулевом
смещении
,
Ф
– CBD.
5)
Емкость
донной
части
перехода
исток
-
подложка
при
нулевом
смещении
,
Ф
– CBS.
6)
Напряжение
инверсии
приповерхностного
слоя
подложки
,
В
– PB.
Для
исследования
характеристик
МДП
-
транзисторов
используется
схема
на
рисунке
3.11.
С
ее
помощью
можно
получить
семейство
выходных
характе
-
ристик
МДП
-
транзисторов
при
фиксированных
значениях
напряжения
на
за
-
творе
Ug
и
подложке
Ub.
Располагая
такими
характеристиками
,
можно
опре
-
делить
крутизну
транзистора
S
при
управлении
со
стороны
затвора
,
а
также
кру
тизну
при
управлении
со
стороны
подложки
Sb = dId / dUb;
статический
коэффициент
усиления
M = dUd / dUg;
выходное
дифференциальное
сопро
-
тивление
Rd = dUd / dId
и
другие
параметры
.
Рис. 3.11. Схема для исследования характеристик МДП-транзисторов
Порядок выполнения работы
1. Снятие стоковых характеристик
а
)
Откройте
файл
(
рис
. 3.5)
и
включите
схему
.
Снимите
стоковые
харак
-
теристики
полевого
транзистора
с
p-n
переходом
и
каналом
n-
типа
: I
c
= f(U
си
),
U
зи
= const.
Первоначально
установить
U
зи
= 0,
а
затем
снимите
стоковые
ха
-
рактеристики
полевого
транзистора
с
двумя
другими
значениями
U
зи
.
б
)
В
соответствии
с
полученными
данными
постройте
стоковые
(
выход
-
ные
)
характеристики
полевого
транзистора
.

Страницы